KIOXIA第二代UFS4.0产品开始送样：随机写入性能提高30%

发布于：2023-05-31 来源：网络

铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH 3D 闪存和控制器集成在 JEDEC 标准封装中，并结合了 MIPI M-PHY 5.0 和 UniPro 2.0，支持每通道高达 23.2Gbps或每设备 46.4 Gbps 的理论接口速度，并向后兼容 UFS 3.1。

金士顿首次曝光非二进制DDR5内存24Gb芯片

发布于：2023-05-30 来源：网络

除了升级Kingston FURY超频电竞内存外，还可运用在服务器中，有别以往二进制存储器，24Gbit芯片满足用户对效能的追求之外，同时提供弹性多方的存储空间选择，用户不再受限制于规格，灵活地做出节省成本的聪明选择。

华邦电子：全部市场都有反弹，减产幅度已缩小

发布于：2023-05-30 来源：网络

价格方面，陈沛铭表示，价格已都在底部附近，再跌也跌不下去；但公司减产幅度没有那么多，就不会提列那么多闲置产能损失。

走进西部，得一微BGA SSD固态存储助力工业智能

发布于：2023-05-30 来源：

得一微电子（YEESTOR）携多款高可靠车规/工规存储器产品和完整存储解决方案亮相2023中国西部半导体及集成电路产业博览会

华邦电子：已与多家SoC客户合作开发定制化3D TSV DRAM，2024年量产

发布于：2023-05-30 来源：网络

由于潜在客户需要中阶运算力产品，多家SoC客户选择与华邦电子合作开发4-8GB 的3D TSV DRAM、又名CUBE(定制化高频宽内存)，华邦电子可协助SoC 设计与2.5D/3D 后段制程封装连结。

群联推出低功耗PCIe 5.0 DRAM-Less SSD主控：顺序读写最高10.5GB/s

发布于：2023-05-30 来源：网络

群联在Computex展出全新搭载7nm的低功耗PCIe 5.0 DRAM-Less SSD控制芯片PS5031-E31T，四通道，最高支持容量8TB，最高读写效能可达10.5GB/s。

SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM 全球首次开始数据中心兼容性验证

发布于：2023-05-30 来源：CFM闪存市场

SK海力士30日宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔开始了“英特尔数据中心存储器认证程序”。

威刚：预计DRAM现货价本季落底，NAND预计在第三季度

发布于：2023-05-29 来源：网络

针对近期最夯的AI议题，陈立白分析，AI的应用面是颠覆性的，和威刚关系较高的会在电竞这一块，正向看待整体市场需求大幅增加的时间点会在2024年。

京元电子：获大量AI相关急单，订单能见度2-3个月

发布于：2023-05-29 来源：网络

预期第二季业绩有望回升，第三季在旺季效应、台系大客户库存调整至较健康水位下，成长力道更强。

时创意完成2.8亿A轮战略融资

发布于：2023-05-28 来源：CFM闪存市场

时创意将继续强化在存储领域的技术优势，计划在未来三年内，在嵌入式存储和SSD领域实现突破性增长。