NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品
存储原厂 |
三星电子 | 57900 | KRW | +3.39% |
SK海力士 | 177000 | KRW | +0.17% |
美光科技 | 102.640 | USD | -0.12% |
英特尔 | 24.500 | USD | +0.25% |
西部数据 | 66.430 | USD | +0.83% |
南亚科 | 36.30 | TWD | +1.26% |
华邦电子 | 17.60 | TWD | -2.49% |
主控厂商 |
群联电子 | 460.5 | TWD | -2.23% |
慧荣科技 | 54.930 | USD | +0.24% |
美满科技 | 92.510 | USD | -0.46% |
点序 | 54.5 | TWD | +0.74% |
国科微 | 64.74 | CNY | +0.76% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.75 | CNY | +0.90% |
希捷科技 | 99.620 | USD | -0.30% |
宜鼎国际 | 234.5 | TWD | -0.21% |
创见资讯 | 93.6 | TWD | +1.52% |
威刚科技 | 90.4 | TWD | -0.55% |
世迈科技 | 17.650 | USD | +1.38% |
朗科科技 | 21.97 | CNY | +1.20% |
佰维存储 | 57.91 | CNY | +2.68% |
德明利 | 74.92 | CNY | -2.10% |
大为股份 | 11.47 | CNY | +2.59% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.00 | TWD | +1.23% |
力成 | 126.5 | TWD | +1.20% |
长电科技 | 37.72 | CNY | -3.08% |
日月光 | 156.0 | TWD | -0.32% |
通富微电 | 29.42 | CNY | -0.81% |
华天科技 | 11.66 | CNY | -0.85% |
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