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回到首页 当前位置:CFM分析

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-22

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-15

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

股市快讯 更新于: 11-25 15:00,数据存在延时

存储原厂
三星电子57900KRW+3.39%
SK海力士177000KRW+0.17%
美光科技102.640USD-0.12%
英特尔24.500USD+0.25%
西部数据66.430USD+0.83%
南亚科36.30TWD+1.26%
华邦电子17.60TWD-2.49%
主控厂商
群联电子460.5TWD-2.23%
慧荣科技54.930USD+0.24%
美满科技92.510USD-0.46%
点序54.5TWD+0.74%
国科微64.74CNY+0.76%
品牌/模组
江波龙83.75CNY+0.90%
希捷科技99.620USD-0.30%
宜鼎国际234.5TWD-0.21%
创见资讯93.6TWD+1.52%
威刚科技90.4TWD-0.55%
世迈科技17.650USD+1.38%
朗科科技21.97CNY+1.20%
佰维存储57.91CNY+2.68%
德明利74.92CNY-2.10%
大为股份11.47CNY+2.59%
封测厂商
华泰电子37.00TWD+1.23%
力成126.5TWD+1.20%
长电科技37.72CNY-3.08%
日月光156.0TWD-0.32%
通富微电29.42CNY-0.81%
华天科技11.66CNY-0.85%