美光近日宣布将在未来十年内在存储器的制造和研发上将投入超过1500亿美元，以巩固美光的技术领先性，为客户提供差异化产品，满足不断增长的存储需求。

美光还提及，此项投资计划也将包括扩大潜在的美国晶圆厂规模，但是由于美国存储制造成本相较其他拥有成熟半导体生态的低成本市场高35-45%，因此其需要寻求政府或地区补贴，这样美光的存储产品才更具成本竞争优势。

美光表示2022年资本支出将达120亿美元，十年间投资支出实现“三级跳”，市场成果有目共睹

除上述十年投资计划之外，美光在日前的财报会议中提出，在2021财年资本支出为97亿美元，预计在2022财年资本支出将增加到110至120亿美元，按中位数计算资本支出将同比增长18.5%。其中大部分支出将用于176L NAND和引入EUV在DRAM的试验性生产中。

从美光近年来资本支出变化可以看到，其投资规模已然实现了“三级跳”。当然，投资支出不断攀升与存储产业愈发激烈的竞争氛围和愈发精细、复杂的制造工艺密切相关，更体现了美光不断巩固市场地位，保持技术领先性的决心。

在技术研发上，美光的成果也有目共睹，不仅在今年发布了一系列基于业界领先的176层闪存技术和1-alpha DRAM的创新存储产品，同时还推出业界首创适合车用领域的通用闪存产品UFS 3.1，将对下一代存储技术发展起到引领作用。

据CFM闪存市场数据统计，美光在NAND Flash领域市场占有率约为13%，在DRAM领域市场占有率约为21%，在整个半导体存储市场上排名第三，仅次于三星和SK海力士。

美光在全球包括17个国家和地区展开营运，其在美国、中国台湾、日本和新加坡设有制造基地，并在中国大陆和马来西亚经营芯片封装设施。其中，DRAM主要生产基地在台湾，NAND Flash主要生产基地在新加坡。

来源：美光

这1500亿美元的具体投资计划，如DRAM和NAND Flash的投资比例、投资建厂选址等等均未详细披露。美光表示目前正在与全球多个国家政府接触，评估许多潜在的全球扩张站点，只是目前尚无定论。

全球“缺芯”之际，各大厂商投资计划哪家强？

尽管目前半导体行业部分零部件短缺问题已经开始看到改善，但美光首席执行官Sanjay Mehrota表示，挑战仍可能延续到2023年。值此之际， 除了美光之外，各大厂商也相继推出了中长期投资计划：

英特尔：作为半导体行业龙头，英特尔表示，在未来10年时间里，英特尔可能会在欧洲投资最多800亿欧元（约合950亿美元）以提高其在该地区的芯片产能；

三星：今年8月份，三星集团正式对外宣布，未来三年内将拿出2050亿美元，来投资半导体、生物制药和电信业务等部门，半导体存储部门作为三星的“现金奶牛”必将为其重要投资领域；

台积电：今年二季度，台积电表示，计划未来三年投资1000亿美元扩充芯片产能，在全球范围内选址建设新工厂；

SK海力士：今年4月份，SK海力士新建工厂得到批准，总投资额将达到1060亿美元，主要生产DRAM芯片，每个月产量为80万片。另外，SK海力士表示，将在未来10年内开发 10nm以下制程工艺的DRAM芯片，以及600层堆叠的NAND闪存。

从上述列举的半导体巨头投资计划中不难看出，当前半导体行业发展在全球范围内都得到普遍重视，叠加“缺芯”浪潮尚未褪去，半导体巨头纷纷紧抓机遇、加码投资，其中不难看出，美光的资本支出计划只是在中等水平。当然，由于半导体细分类别垂直度较高，不同厂商特点不同，不能粗暴对比。厂商如何能在有限的资本支出下实现最大化的利润回报才是真正的核心标准，让我们拭目以待10年后各大巨头纷纷走向何方。