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资本支出首超300亿美元,三星投下“震撼弹”,NAND Flash供应将大幅增加!

中国闪存市场 产业分析 2021-01-11

据媒体报道,由于半导体芯片的强劲需求,三星半导体事业部2021年资本支出有望首度突破300亿美元。

强劲的财务增长是支持三星不断提升投资额度的坚实后盾

虽然2020年突如其来的“新冠”疫情给世界经济带来了严重创伤,但是半导体芯片却是为数不多继续保持增长的行业之一。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2020年全球半导体存储市场规模预计达1220亿美元,同比增长13%,其中NAND 560亿美元,DRAM 660亿美元。

三星作为把控着全球近四成半导体存储芯片产能的第一大供应商,自然是首要获利者。根据三星第三季度财报,由于手机和PC、笔记本产品出货量高于预期,再加上LSI系统业务利润和代工业务订单增加,抵消了部分不利的影响,使得三星第三季度营收实现了有史以来最高的历史记录,半导体营业利润也同比大涨。


数据来源:三星,中国闪存市场整理

近日三星发布了2020第四季度财务预测,在三季度较高的收入基准之下,环比销售、利润出现下滑,但是同比依旧呈增长之势,尤其营业利润同比涨幅达25.7%。

预计2021年三星的投资重点将更加侧重NAND Flash及晶圆代工领域,DRAM投资或将趋缓

根据媒体报道,三星电子已经向半导体设备供应商提供了2021年设备采购计划,资本支出将进一步提升20%到30%,意味着2021年三星全年资本总支出将达约318亿美元。


数据来源:三星,中国闪存市场整理

根据目前各大原厂公布的投资扩产情况,2021年仅SK海力士M16工厂和美光A3工厂两家DRAM厂区即将投入生产,而三星即将投产的厂区均为NAND Flash工厂。

除NAND Flash领域之外,自2020下半年发酵的晶圆代工产能紧缺影响不断扩大,导致了电源管理IC、面板驱动IC、CMOS图像传感器、部分功率器件及MCU缺货和涨价问题都非常严重。近日,联电竹科力行厂突发停电将令本就紧张的8英寸晶圆产能更加雪上加霜。

三星在2019年就宣布誓要成为世界领先的存储半导体和逻辑芯片领域的领导者。此前就有市场消息称,三星计划2021年将大部分投资用于NAND Flash、晶圆代工等,DRAM则维持2020年的水平,较为保守投资。

而在DRAM领域,由于市场集中性更为显著,近日美光发布2021财年Q1财务业绩时表示,DRAM已经过了谷底,预计2021年DRAM行业需求增长将达到15%以上,而DRAM行业bit供应量因为2020年原厂严控资本支出而低于需求。正与三星不谋而合,因此预计2021年DRAM供应将供不应求。

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股市快讯 更新于: 01-27 11:54,数据存在延时

存储原厂
三星电子86400.00KRW-0.35%
SK海力士129500.00KRW+0.39%
美光科技79.51USD-2.18%
英特尔55.21USD-0.41%
西部数据52.06USD+1.52%
紫光股份22.73CNY-0.35%
南亚科81.9TWD-1.33%
主控供应商
群联电子393TWD-0.13%
慧荣科技51.22USD+1.99%
美满科技54.00USD-0.79%
点序42.15TWD+5.11%
瑞昱477.5TWD-0.52%
国科微41.41CNY-0.17%
品牌/销售
希捷科技64.86USD+6.00%
宜鼎国际167TWD0.00%
创见资讯62.1TWD-0.16%
威刚科技71.6TWD-1.10%
朗科科技11.98CNY+0.34%
封装厂商
华泰电子15.35TWD-2.85%
力成103TWD+2.49%
长电科技44.00CNY-6.32%
日月光98TWD-0.41%
通富微电26.99CNY-4.56%
华天科技14.22CNY+0.49%