SK海力士宣布，已开发出176层512Gb TLC 4D NAND，并已在上个月给主控厂商提供样品，稍晚些还将推出基于176层的1Tb容量4D NAND，预计2021年中将有基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品面世。

来源：SK海力士

SK海力士4D NAND结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，2019年送样第一代96层4D NAND，同年次月又推出了第二代128层4D NAND，本次成功研发出的176层NAND是第三代4D NAND产品。

来源：SK海力士

2020年SK海力士主要是扩大96层4D NAND在市场上的普及，同时不断提高128层4D NAND生产比重，并推出基于128层4D NAND的Gold P31和Platinum P31系列消费类SSD，以及企业级PE8111系列SSD，2021年将进入176层4D NAND新阶段。

176层NAND：SK海力士 VS 美光，将在2021年展开竞争

在SK海力士之前，美光也发布了176层3D NAND，这是继128层之后NAND Flash新一代技术制高点。值得注意的是，在美光和SK海力士新技术进展加速推动下，2021年原厂将可能直接在176层NAND技术上展开竞争。

SK海力士表示，新一代176层4D NAND与上一代产品相比，Bit生产率提高了35%以上，从而实现了差异化的成本竞争力，读取速度比上一代加快了20%，同时数据传输速度也提高了33%，达到1.6Gbps。此外，SK海力士还将基于176层推出1Tb容量的4D NAND，进一步满足市场对大容量的需求，以及提高在NAND Flash市场中的竞争能力。

在产品规划上，SK海力士预计在2021年中首先基于176层4D NAND推出移动解决方案产品，最大读取速度将提高70%，最大写入速度提高35%，再计划推出消费类和企业级SSD产品，以拓展其产品应用市场，提高竞争力。

美光是在11月份宣布开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash。与上一代128层3D NAND技术相比，将读取延迟和写入延迟改善了35%以上，基于ONFI接口协议规范，最大数据传输速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作负载性能提高15%，紧凑设计使裸片尺寸减小约30%，每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。

美光新的176层3D NAND已在新加坡工厂量产，并已通过其Crucial消费类SSD产品线送样给客户，将在2021年推出基于该技术的新产品，瞄准5G、AI、云和智能边缘领域的增长机会，满足移动、汽车、客户端和数据中心领域不断增长的存储需求。

美光、SK海力士率先突破，三星、西部数据、铠侠等新一代技术进展如何？

据CFM（中国闪存市场）数据显示，2020年第三季度NAND Flash营收排名，三星市场份额33.3%，依然排名第一；铠侠市场份额21.4%，排名第二，西部数据排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特尔排名第六位，长江存储市占份额已经超过1%排名第七。

在176层3D NAND上，美光、SK海力士公开宣布率先取得突破进展，让NAND Flash市场排名前三的三星、铠侠、西部数据等感受到威胁的气息。

日前，三星表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数并未透露，而三星在128层工艺节点，采用的是“单堆栈”技术生产3D NAND。三星也强调，采用“双堆栈”技术，不仅更具技术竞争力，3D NAND也有望堆叠层数达到256层，但并不一定意味着三星第七代NAND将具有这种配置。

来源：三星

铠侠和西部数据在2019年基于96层QLC单颗Die容量实现1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技术，采用的是112层堆叠BiCS5，初步量产的是512Gb TLC产品，已经面向消费类的产品发售，QLC 单颗Die容量将达1.33Tb。至于新一代BiCS6还未公开透露消息。

至于英特尔，已经成功研发出144层堆叠的QLC闪存，容量较96层QLC提升了约50%，计划是在2020年底前投入生产，并会推出基于该新技术的消费类和企业级SSD。虽然SK海力士收购了英特尔NAND业务，包括中国大连3D NAND工厂，但是在2025年之前，英特尔将继续运营大连工厂和制造设计技术，在目前的144层节点之后，有望再拓展两到三代。

长江存储是在2020上半年发布128层QLC 3D NAND（型号:X2-6070），具有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb单颗Die容量，并在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。同时，长江存储也发布了128层512Gb TLC 3D NAND（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。