2009年第30周

DRAM产业再造工业局长杜紫军：TMC正式启动而非破局

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会，局长杜紫军在会后记者会中，率先针对TMC破局的市场看法澄清，政府对于DRAM产业再造上，希望进行结构性的改变，因此才会拖了这么久，如今「DRAM产业再造方案...

2009年第29周

7月上旬NAND Flash交投淡静

下游客户采购意愿仍低，上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价， 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

2009年第28周

NAND flash需求疲弱 DRAM价格上扬交易不明显

年中库存盘点，导致上周NAND闪存现货市场需求下降，整体价格保持稳定；DRAM上周交易仍然有限，需求疲弱

2009年第27周

34nm降价压制整体现货价 合约均价持平或小跌

NAND闪存的现货市场上周（ 6月22-26段）持续疲弱，市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片，而合约价大致呈现持平或小跌的情况，近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

2009年第26周

DRAM反应清淡 flash回软

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%，唯成交反应清淡；季底效应与淡季因素，NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

2009年第25周

NAND平稳，DRAM现货价跌

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足；DRAM上周现货市场价格急剧下跌

2009年第24周

Computex Taipei 2009展后评析，从新产品展望未

Computex Taipei 2009展后评析，从新产品展望未来DRAM之发展

2009年第20周

DRAM首季市占率南科增、力晶减

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响，季营收较上季下滑逾二成，市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

2009年第18周

继续涨 4月下旬Flash合约价涨8%至18%

由于供应商控货，加上客户以及中国手机市场需求， 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ，预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

2009年第10周

DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格上周下跌逾10%

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后，经过短暂的持平走势，上周（02/24-03/02）颗粒价格再次呈现下滑的走势