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NAND价格大跌出乎意料,原厂加快96层3D技术量产迫在眉睫

编辑:Helan 发布:2018-11-09 20:07

2018年NAND Flash市场供应增加,而市场需求增幅却有所迟缓,尤其是中国手机市场出货下滑,导致市场NAND Flash供过于求。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格指数,截止到11月9日,2018年NAND Flash价格跌幅已达到65%,再加上Q4又是传统的淡季,预计NAND Flash价格还将进一步下滑。

NAND Flash价格下滑是64层3D技术扩大普及后的正常现象,但是市场价格不到1年的时间就大跌65%,却让业内人士始料未及,出乎预料。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格,NAND Flash每GB价格已跌破0.1美金,下探至0.08美金。由于价格的持续下滑,市场价格已接近部分厂商的成本价,这将直接影响到存储企业产品获利和财务业绩,若NAND Flash价格进一步下滑,市场恐出现产品亏本销售的情况。

2018年消费类NAND Flash每GB价格走势图

在跌价的市场环境下,Flash原厂加快96层3D NAND量产已是迫在眉睫。首先,新一代96层堆叠相较于64层,单颗Die容量翻倍,可进一步降低成本,这也是最重要的因素。其次,新技术在量产良率、质量等方面容易出现瑕疵,所以需要预留一定的时间过渡。第三,则来自同业竞争者之间的压力,抢占市场先机很重要。

据悉,三星在7月份已宣布量产96层V-NAND,东芝基于96层3D NAND推出了XG6系列SSD,西部数据则推出了256GB容量的UFS2.1产品。SK海力士新工厂M15已经竣工,并在本周宣布开始初步量产96层4D NAND。英特尔大连二期工厂也开始投产96层3D NAND,还有美光新建的Fab10三期工厂,预计2019上半年96层3D NAND供货会逐步增加。

96层3D技术发展迫在眉睫,但由于NAND Flash行业跌价过快,再加上2018年Q4和2019年Q1均处于传统淡季,原厂又担心市场供过于求的情况更加严重,所以对产出量进行了控制。日前,西部数据宣布Fab工厂减少产出量,并推迟下一步扩产计划,显然是为了平衡市场供需。

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股市快讯 更新于: 11-25 17:39,数据存在延时

存储原厂
三星电子57900KRW+3.39%
SK海力士177000KRW+0.17%
美光科技102.640USD-0.12%
英特尔24.500USD+0.25%
西部数据66.430USD+0.83%
南亚科36.30TWD+1.26%
华邦电子17.60TWD-2.49%
主控厂商
群联电子460.5TWD-2.23%
慧荣科技54.930USD+0.24%
美满科技92.510USD-0.46%
点序54.5TWD+0.74%
国科微64.74CNY+0.76%
品牌/模组
江波龙83.75CNY+0.90%
希捷科技99.620USD-0.30%
宜鼎国际234.5TWD-0.21%
创见资讯93.6TWD+1.52%
威刚科技90.4TWD-0.55%
世迈科技17.650USD+1.38%
朗科科技21.97CNY+1.20%
佰维存储57.91CNY+2.68%
德明利74.92CNY-2.10%
大为股份11.47CNY+2.59%
封测厂商
华泰电子37.00TWD+1.23%
力成126.5TWD+1.20%
长电科技37.72CNY-3.08%
日月光156.0TWD-0.32%
通富微电29.42CNY-0.81%
华天科技11.66CNY-0.85%