编辑:Helan 发布:2018-11-09 20:07
2018年NAND Flash市场供应增加,而市场需求增幅却有所迟缓,尤其是中国手机市场出货下滑,导致市场NAND Flash供过于求。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格指数,截止到11月9日,2018年NAND Flash价格跌幅已达到65%,再加上Q4又是传统的淡季,预计NAND Flash价格还将进一步下滑。
NAND Flash价格下滑是64层3D技术扩大普及后的正常现象,但是市场价格不到1年的时间就大跌65%,却让业内人士始料未及,出乎预料。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格,NAND Flash每GB价格已跌破0.1美金,下探至0.08美金。由于价格的持续下滑,市场价格已接近部分厂商的成本价,这将直接影响到存储企业产品获利和财务业绩,若NAND Flash价格进一步下滑,市场恐出现产品亏本销售的情况。
2018年消费类NAND Flash每GB价格走势图
在跌价的市场环境下,Flash原厂加快96层3D NAND量产已是迫在眉睫。首先,新一代96层堆叠相较于64层,单颗Die容量翻倍,可进一步降低成本,这也是最重要的因素。其次,新技术在量产良率、质量等方面容易出现瑕疵,所以需要预留一定的时间过渡。第三,则来自同业竞争者之间的压力,抢占市场先机很重要。
据悉,三星在7月份已宣布量产96层V-NAND,东芝基于96层3D NAND推出了XG6系列SSD,西部数据则推出了256GB容量的UFS2.1产品。SK海力士新工厂M15已经竣工,并在本周宣布开始初步量产96层4D NAND。英特尔大连二期工厂也开始投产96层3D NAND,还有美光新建的Fab10三期工厂,预计2019上半年96层3D NAND供货会逐步增加。
96层3D技术发展迫在眉睫,但由于NAND Flash行业跌价过快,再加上2018年Q4和2019年Q1均处于传统淡季,原厂又担心市场供过于求的情况更加严重,所以对产出量进行了控制。日前,西部数据宣布Fab工厂减少产出量,并推迟下一步扩产计划,显然是为了平衡市场供需。
存储原厂 |
三星电子 | 57900 | KRW | +3.39% |
SK海力士 | 177000 | KRW | +0.17% |
美光科技 | 102.640 | USD | -0.12% |
英特尔 | 24.500 | USD | +0.25% |
西部数据 | 66.430 | USD | +0.83% |
南亚科 | 36.30 | TWD | +1.26% |
华邦电子 | 17.60 | TWD | -2.49% |
主控厂商 |
群联电子 | 460.5 | TWD | -2.23% |
慧荣科技 | 54.930 | USD | +0.24% |
美满科技 | 92.510 | USD | -0.46% |
点序 | 54.5 | TWD | +0.74% |
国科微 | 64.74 | CNY | +0.76% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.75 | CNY | +0.90% |
希捷科技 | 99.620 | USD | -0.30% |
宜鼎国际 | 234.5 | TWD | -0.21% |
创见资讯 | 93.6 | TWD | +1.52% |
威刚科技 | 90.4 | TWD | -0.55% |
世迈科技 | 17.650 | USD | +1.38% |
朗科科技 | 21.97 | CNY | +1.20% |
佰维存储 | 57.91 | CNY | +2.68% |
德明利 | 74.92 | CNY | -2.10% |
大为股份 | 11.47 | CNY | +2.59% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.00 | TWD | +1.23% |
力成 | 126.5 | TWD | +1.20% |
长电科技 | 37.72 | CNY | -3.08% |
日月光 | 156.0 | TWD | -0.32% |
通富微电 | 29.42 | CNY | -0.81% |
华天科技 | 11.66 | CNY | -0.85% |
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