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8月NAND Flash价格走势平稳,市场聚焦3D NAND发展

编辑:Helan 发布:2016-08-19 12:21

由于2D工艺向10nm靠近,NAND Flash可持续性发展的瓶颈越来越明显,2016年原厂纷纷加快投产3D NAND,影响2D NAND产出减少,而3D NAND产出又相对有限,导致市场供不应求。在智能型手机和SSD大容量需求带动下,市场价格从5月下旬开始持续一个多月的涨势,NAND Flash综合价格指数累积高达16%。

在NAND Flash缺货持续发酵的影响下,涨势已蔓延到主流应用的eMMC、SSD产品上,而Micro SD产品由于价格持续冲高,再加上智能型手机需求成长趋缓,以至于厂商出货压力大增,6月下旬闪存卡价格开始有所回落。经过一个多月的市场消耗后,8月整体NAND Flash价格走势平稳,随着季节性需求减弱,预计Q4供货紧张的市况将会有所缓解。

随着3D技术的快速发展,三星、东芝均向64层堆叠提升,存储密度也将从256Gb提高到512Gb,产出也至少可以提高30%,3D NAND竞争急剧升温,这意味着NAND Flash生产成本将进一步下滑。

为了提高3D NAND产量,原厂量产的3D NAND专用工厂已陆续进入量产阶段,比如:东芝新建的Fab 2工厂、三星Fab 16、美光F10x、英特尔大连工厂、SK海力士M14等,预计在2017年3D NAND将倾巢出笼。

在移动互联网时代,数据存储需求与日俱增,3D NAND更高的性能和更大的存储容量,将给对高容量NAND Flash消耗较大的SSD和智能型手机带来新的应用,但若终端需求无法及时消耗原厂新出的产能,NAND Flash市场将再次陷入供过于求的局面,价格也将有下滑的风险,3D NAND的来临,是挑战也是机遇。

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股市快讯 更新于: 11-25 13:54,数据存在延时

存储原厂
三星电子57200KRW+2.14%
SK海力士177400KRW+0.40%
美光科技102.640USD-0.12%
英特尔24.500USD+0.25%
西部数据66.430USD+0.83%
南亚科36.30TWD+1.26%
华邦电子17.60TWD-2.49%
主控厂商
群联电子460.5TWD-2.23%
慧荣科技54.930USD+0.24%
美满科技92.510USD-0.46%
点序54.5TWD+0.74%
国科微63.42CNY-1.29%
品牌/模组
江波龙81.62CNY-1.66%
希捷科技99.620USD-0.30%
宜鼎国际234.5TWD-0.21%
创见资讯93.6TWD+1.52%
威刚科技90.4TWD-0.55%
世迈科技17.650USD+1.38%
朗科科技21.33CNY-1.75%
佰维存储56.76CNY+0.64%
德明利74.50CNY-2.65%
大为股份11.22CNY+0.36%
封测厂商
华泰电子37.00TWD+1.23%
力成126.5TWD+1.20%
长电科技37.08CNY-4.73%
日月光156.0TWD-0.32%
通富微电28.92CNY-2.49%
华天科技11.52CNY-2.04%