一年中Q3是电子产品销售旺季，而往往以大陆国庆假期为分界线，假期过后市场需求就会逐渐减少，进入Q4淡季。近观市场需求，自从高端智能型手机市场需求减弱之后，整体智能型手机需求成长明显懈怠，经过长达7天的大陆国庆假期之后，市场需求复苏表现迟缓，需求更显清淡，市场表现也比较平静，10月上旬NAND Flash相关产品价格或缓跌或持平。
10月上旬受大陆国庆假期影响，NAND Flash价格波动幅度不大，假期过后一部分产品出现小幅度涨价，不过价格上涨未能持续太久，可能受到市场需求减少影响，价格又出现下滑趋势。据中国闪存市场网产品报价显示，Samsung 64Gb MLC (LCG)价格由6.12美金上涨至6.22美金，涨幅1.6%。Hynix 64Gb MLC (UCG)价格由4.36美金上涨至4.37美金，又跌至4.36美金。Hynix 32Gb MLC (UBG)价格由3.1美金涨至3.12美金，又跌至3.1美金。Samsung 32Gb MLC (GBG)价格由3.04美金涨至3.06美金又跌至3.05美金。
注：数据以每日收盘数据为参考对象
国庆假期之后，主流闪存卡产品Micro SD（C4）整体价格在10月8日至12日期间表现为下滑的趋势，其中2GB价格由18.2元下跌至17.8元，下滑2.2%；4GB价格维持在20.9元左右，价格波动不明显；8GB价格持续下滑，由24元下滑至23.5元；16GB价格由48元跌至47.8元，32GB价格波动幅度不大。
注：数据以每日收盘数据为参考对象
10月上旬市场需求复苏迟缓，市况走势不明朗，市场担心Q4淡季恐将提前到来。进一步分析，Q4市场需求较Q3转弱是必然的，不过，NAND Flash供应量却有很大的变数，如果NAND Flash供应链业者能够看准市场行情，提高库存水位的灵敏度，Q4有不错的表现也不一定。
以目前的产业消息来看，自从SK Hynix无锡工厂爆炸事件之后，三星、SK Hynix以及美光等就计划调整NAND Flash和DRAM的生产线，生产线的调整势必会导致NAND Flash和DRAM供应量的变化，为了填补SK Hynix供给缺口以及供应需求不断提升的Mobile DRAM，NAND Flash供应量可能会减少，供应量的调整所带来的市场影响会表现在Q4以及明年Q1。
进一步分析，观察DRAM相关的产品的售价，现在的价格明显要比7月、8月高，随着技术的提升，DRAM的生产成本在不断的下降，而存储芯片厂向来也是以最低成本追求利益最大化，现在NAND Flash需求软弱，存储芯片大厂更愿意将NAND Flash转生产DRAM。据近期新闻报道指出，传尔必达Mobile DRAM产能Q4较Q3增产2成，可见Mobile DRAM需求是有增无减，存储芯片厂也只会增加Mobile DRAM的产量，至于NAND Flash供应量自会有所减少。
另外，苹果的iPhone 5s后续销售也表现不错，存储芯片厂都会优先把产能供给苹果，而且每年年前的小旺季需求也会表现不错，况且很多品牌厂也有新机在年底陆续发布，在需求稳定，NAND Flash供货减少的作用下，Q4表现也不会太差。
