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市场需求放缓 记忆体价格成疲软走势

编辑:Helen 发布:2010-05-10 17:22

本周(5.3-5.7)各厂商4月营收频频开出,因客户需求放缓、出货等因素,部分厂商营收成下滑趋势。NAND Fash市场现货部分仍然出现下跌趋势,但下跌幅度较弱,下跌1%~2%左右,跌幅不深。闪存卡方面价格也持续下跌,主流产品256MB~1GB下跌幅度较大,下跌9%左右。
据数据显示,本周Flash颗粒价格和闪存卡价格仍然持续下跌,flash颗粒下跌幅度较弱,成,市场需求也未见好转,表现清淡;闪存卡方面,市场需求放缓,表现清淡,厂商积累库存较多,成交有限。主流产品价格以256MB下跌幅度较深,由最高价16.80下跌至最低价15下跌12%,512MB由最高价18.90下跌至17.30下跌9.2%,1GB由20.50下跌至18.80,下跌9%,128MB 、2GB 下跌幅度相对较弱,分别下跌5.5%、3.4%。
本周各厂商营收状况陆续公布,受惠于NOR FLASH缺货,旺宏第一季毛利率47%,创八年来单季新高;安国、力成4月营收持续攀高;南科、华亚科则因受制制程转换4月营收月减,茂德、矽品、京元电2010年第1季也处于亏损状态。
DRAM模组品牌厂威刚、创见以及劲永4月营收全面下滑,以OEM代工为主商丞也是出现一样的情况,不过影响因素却不尽相同;威刚4月份因转换企业资源系统,提前至3月份出货;创见则是欧洲出货进度受到火山灰影响导致递延;劲永、商丞都是因为客户需求软弱冲击。
各厂商4月营收下滑主要是因为DRAMNAND Flash产业的传统淡季所致,虽然部分厂商处于季减状态,但都非常看好Q2需求。力成表示,Q2营收将微涨,Q3将有望成长20%;新帝第2季出货量也将会比第1季大增1倍以上;威刚预估第1季为今年营运低点,Q2将微幅上扬,市场需求可望一路畅旺看到9月。如此看来,虽然Q2营收有压,但业者仍然看好后市。
过去一般手机内建内存容量不高,都以外接快闪记忆卡为主,随市场需求的提高,智能型手机内建NAND芯片已成趋势,且手机搭载NAND记忆卡也成为标准配备,2010年NAND Flash短缺状况已成必然之事。目前各厂商Q1调整库存,就是为了迎接第2季手机生产链备货潮,而各厂商营收也将持续攀高。
另一方面,存储技术也在不断的更新,产业动向实行多角化布局策略。目前三星推出的OneNAND存储器技术,是1种混合式存储器的概念,其基础概念是将NAND Flash芯片、SRAM芯片和逻辑芯片整合成1颗单芯片,其中采用的是NOR Flash界面,因此是集合NAND Flash高容量优点和NOR Flash读取速度快的特性于一身,而SRAM芯片的角色则是作为高速缓冲区,在未来在终端应用上,OneNAND技术与NOR Flash芯片竞争的成分较高,甚至是取而代之。
在产业布局方面,记忆体业者指出,在DRAM货源严重不足,而NAND Flash市场又持续疲软情况下,2010年模组厂积极以多角化布局策略,增加营运附加价值,其中,行动硬碟便成为模组厂共同相中的领域,除创见最早投入耕耘,包括威刚、劲永、胜创、宇瞻等模组厂都陆续跨入行动硬碟市场。

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