三星是全球最大的内存芯片商,分析师认为,三季度三星半导体运营利润将创三年新高,在旗舰智能手机Galaxy S4销售放缓之际,这是一剂强心针。
iSuppli半导体首席分析师顾文军看来,三星项目也在一定程度上抬高了西安吸引企业的门槛,令外资企业在向政府要条件时“比照三星”,但西安现有支持力度是否足以支撑,仍面临考验。
三星存储器事业总裁全东守强调,没有立即的迹象显示,全球NAND Flash芯片产业将出现产能过剩的问题,因为在经历一连串汰弱留强的生存战后,这个由少数几家大厂撑起的产业生态已经大幅改善,目前的供需平衡将维持下去。
在今年的闪存峰会(2013 Flash Memory Summit)上,三星推出了世界首款基于3D V-NAND技术的固态硬盘驱动器产品。由于采用了新的制造技术,新产品在性能增长20%+的同时、功耗却减少了40%+。三星表示,该公司在本月早些时候开始了新款
三星电子将从下半年起扩大车载半导体事业。车载半导体最近需求开始上升。据悉,三星首先计划将目前集中于DRAM车载半导体的事业范围扩大到存储设备。
三星电子6日称,公司在世界上首次批量生产“三维垂直结构NAND闪存”(3D V-NAND)。该产品采用三星电子独创技术--“三维筒形CTF(3D Charge Trap Flash)单元结构”和“三维垂直叠层工艺技术“,较原有20纳米产品的集成度多出一倍。
三星电子 ( Samsung Electronics Co., Ltd. )26日公布,2013年第2季(4-6月) 半导体部门合并营收年增0.9%(季增1%)至8.68兆韩圆;合并营益年增71%(季增64%)至1.76兆韩圆。三星指出,4-6月存储器营收
全球智能手机龙头三星电子公司公布第2季盈余未达分析师预估,主因高阶手机市场近饱和,冲击三星旗舰机Galaxy S4销售成长。
南韩KOSPI指数24日以平低盘(1,904.07点)开出后,在外资小额买进、苹果 ( Apple Inc. )概念股走强的激励下上扬,而三星电子 ( Samsung Electronics)宣称起火半导体厂运作正常也为指数提供支撑。
三星正式宣布推出行业内首个3GB内存,0.8mm的厚度也成为了全球最薄的内存。该内存封装了6个 20nm制程的4Gigabit LPDDR3芯片,分3叠层并列排放,能够实现2133MB/s的传输速率。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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