据韩国媒体报道,三星电子透露正在考虑将公司在韩国股市上的股票进行拆分,以达到降低股票交易价格但提供整体市值的效果。三星电子高级投资者关系官 员Lee Myung-jin在韩国交易所(Korea Exchange)召开的发布会上称:“三星电子一直在考虑拆股是
三星电子宣布,已经开始在业内率先量产单颗容量8Gb(1GB)的GDDR5显存,并采用了最新的20nm工艺。与此同时,新颗粒不但比4Gb GDDR5在容量上翻了一番,数据传输率也从7Gbps提升到了8Gbps,创造了GDDR5显存的新高度。
据首尔经济报导,三星近来已完成48层结构的V NAND研发,并着手研发后续产品64层结构V NAND。48层V NAND将于2015年内开始量产。
据韩国媒体报道,三星集团今年计划投资50万亿韩元(约合人民币2800亿元),与去年持平。
三星今天正式发布了新款固态硬盘“SM951”,此时距离它在去年七月份首次展示已经过去了整整半年。和上一代XP941类似,SM951用的也是M.2 2280规格(22×80毫米),128/256/512GB三种容量,但是接口规格从PCI-E
三星电子公司日前发布了该公司2014年第四季度初步财报。财报中显示,运营利润持续下降依然在困扰着这个世界上最大的智能手机制造商,但其正接近触底反弹。
三星电子周四公布2014年第四季初估财报,营业利益较前年同期减少37.4%,将确定去年全年获利为2011年以来首度衰退。虽然上季获利下滑,但仍优于分析师预期,周四早盘三星电子股价开涨2.5%。
现在,三星已经开始量产这款型号为SM951的SSD了!由于采用了4x的PCIe 3.0通道,其顺序读写速度最高可以达到2150 MB/s(读)和1550 MB/s(写)。而如果在PCIe 2.0接口上使用,其峰值速度会分别降低到1600 MB/s和1350
韩国时报报导,三星电子明年将投资半导体设备 13.5兆韩元,或相当于120亿美元,稍高于今年的13兆韩元。
今年夏天,三星宣布该公司正在开发一种采用TLC版本的3D V-NAND技术的850 EVO SSD。有关该系列的更多细节,已在秋季的时候被曝光,而闪存模块的量产则从10月份开始。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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