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三星电子与韩国忠清南道签署协议，将扩大其天安第3工业园区的半导体封装工厂，三星电子将从下个月到2027年12月的三年内，在天安第三综合工业园区三星显示器的28万平方米场地上安装半导体封装加工设施，以生产高带宽存储器（ HBM ），建设韩国先进、规模化的半导体封装工艺设施。

三星电子将能够通过在天安半导体封装工艺工厂生产 HBM 来确保在全球尖端半导体市场的领导地位。

另有消息称，三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。

三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim近日在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示，今年三季度三星HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。

针对HBM3E技术进展，Jaejune Kim表示，三星确实在为一个大客户供应HBM3E遇到了一些延迟，但仍然取得了有意义的进展，目前已完成资格认证过程中的一个重要阶段，预计将在第四季度开始扩大销售。另外，三星电子HBM4开发工作正在按计划进行，目标是在2025年下半年开始量产。