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10月17日，三星电子宣布已完成首款24Gb GDDR7 DRAM的开发，将用于PC和游戏机等现有图形DRAM应用之外的各种领域，以及AI工作站等需要高性能产品的领域和数据中心。

24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。

该产品还首次引入适用于重视低功耗特性的移动产品的技术，将电源效率提高了30%以上。通过采用“时钟控制技术”和“电力双重化设计”等技术，以减少不必要的电力消耗。同时应用“电源门控设计”技术，在高速运行时也能将电力泄漏降至最低，从而进一步增强了稳定性。

三星表示，“公司于去年7月首次成功开发16Gb GDDR7 DRAM，巩固了其在图形DRAM市场的技术领先地位；随着市场快速增长，我们将通过推出高容量、高性能的产品继续引领市场。”

三星电子计划年内开始在主要GPU客户的下一代AI计算系统中验证24Gb GDDR7 DRAM，并于明年年初实现该产品的商业化。

今年年中，美光和SK海力士也相继公开新一代GDDR7产品最新进展。今年6月初，美光宣布其下一代GDDR7图形内存产品已进入样品阶段，基于Micron的1β（1-beta）DRAM技术和创新的架构设计，内存性能速率高达32Gb/s，系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升了60%，能效上也提高了50%以上；7月底，SK海力士也宣布推出高性能新一代显存产品GDDR7，运行速度高达32Gbps，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps，可支持每秒1.5TB以上的数据处理；能效与前一代相比提升了50%以上，计划于今年第三季度开始量产。