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在CES 2024展会中，三星电子DS部门在展示区布置了半导体虚拟工厂以及服务器、PC/图形、移动、汽车、生活方式五个应用领域的体验区。其中，特别展示了用于生成式AI、端侧AI的DRAM产品、下一代NAND闪存解决方案、2.5/3D封装技术等大量下一代存储产品。 

三星电子针对生成式AI时代优化的DRAM解决方案主要包括：12nm级32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E DRAM‘Shinebolt’、CXL内存模块产品‘CMM-D’。 

其中，三星电子32Gb DDR5 DRAM 是目前单芯片容量最大的DRAM产品，于2023 年9月首次开发，是一款适用于服务器的高容量产品系列。其特点是能够在同一封装中配置128GB大容量模块，无需TSV技术。

此外，将引领AI创新的超高性能HBM3E DRAM“Shine Bolt”与现有HBM3产品相比，性能和容量提升了50%以上。HBM3E采用12层（堆叠）技术，提供每秒1280GB的带宽和高达36GB的高容量。 

三星电子的CMM-D是基于CXL接口的模块产品，而不是现有的基于DDR接口的DRAM模块。可以在服务器前端（安装现有 SSD 的位置）安装多个该产品，从而大幅增加每台服务器的内存容量。该产品有望在需要快速处理大量数据的生成式人工智能平台的应用中发挥关键作用。 

此外，三星电子还推出了8.5Gbps LPDDR5X DRAM产品、LPDDR5X-PIM、针对端侧AI市场的LLW（低延迟宽 I/O） DRAM；NAND解决方案包括PM9D3a以及PB SSD（Petabyte Scale SSD）。