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据韩媒报道，三星电子将于当地时间10月20日在美国加利福尼亚州圣何塞的McEnery会议中心举办“内存技术日”。

三星电子设备解决方案（DS）美洲部门（DSA）副总裁 Han Jin-man将致欢迎辞，存储业务部门负责人Lee Jeong-bae 将发表主题演讲“业务战略侧重于技术创新和生态系统创建”。

此外，半导体产品规划副总裁Bae Yong-cheol和常务董事Park Jong-gyu也将成为演讲者。在分组会议中，讨论了内存解决方案、存储技术和战场。

业界关注的焦点是今年会议中是否会出现第九代V-NAND。去年会议中，三星宣布从2024年开始生产第9代V-NAND。

另外，在去年的Tech Day上，三星电子还透露到2030年开发1000层V-NAND目标。此次活动有可能会透露更多细节。预计三星电子还将推出通过堆叠DRAM显着提高性能的高带宽存储器 (HBM) 和可操作的存储半导体处理内存 (PIM) 的相关信息。