三星电子开发出业界首款12纳米级 DDR5 DRAM，2023年开始量产
编辑：AVA 发布：2022-12-21 15:24三星电子今天宣布开发其采用业界首个 12 纳米 (nm) 级工艺技术构建的 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM，并完成与 AMD 兼容性的产品评估。
三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”
“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展，”AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”
这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。
结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。
新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%，对于更多追求环保经营的全球IT企业来说，这将会是值得考虑的优选解决方案。
随着2023年新款DRAM量产，三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域，同时继续与行业伙伴合作，推动下一代计算的快速发展。
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