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自去年起，美光、SK海力士相继发布基于176层3D NAND的SSD产品，西部数据和铠侠也官宣了第六代162层3D NAND技术，而三星作为存储业界引领者在此番技术比拼中却最为“低调”，仍然尚未官宣第七代V NAND技术具体进展，因此只能在财报会议上和部分韩媒相关报道中有所了解。

近日，韩媒消息称，此前三星电子计划在2021年底开始量产176层3D NAND产品，但考虑到当时NAND Flash低迷的市场行情以及公司的产品策略，因此将其量产推迟到了今年一季度。

另外，报道称，三星电子将在今年底最晚明年上半年推出超过200层的第八代V NAND产品，采用双堆栈技术，预计率先推出224层NAND产品，在128层堆叠层数上又增加了96层堆叠。与上一代176层NAND产品相比，第八代V NAND可以将生产力和数据传输速度提高了30%。

业内人士表示，三星是目前业内仅采用单堆栈技术实现128层NAND Flash的厂商。采用双堆栈技术的200+层NAND产品也被认为是超高技术领域，技术挑战也十分严峻。

业界预计，三星电子计划加快200+层NAND产品量产时程，以重新夺回技术领先优势。然而，消息称美光也有望加快技术研发脚步，SK海力士也正在加速开发200+层NAND产品，预计200+层NAND闪存时代即将来临。