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随着NAND Flash 2D工艺越来越物理量产极限，三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士等均积极向3D技术发展。目前除了三星采用32层量产3D V-NAND，东芝/闪迪、美光、SK海力士2015上半年均宣称将陆续从下半年开始量产3D NAND，并且大手笔投资建厂，三星为了强化3D V-NAND的市场竞争优势，传将扩增大陆西安工厂3D V-NAND。

之前有报道称，三星投资150亿美金在韩国平泽市新建工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。近日据ZDNetKorea报导，三星将计划扩增大陆西安工厂3D V-NAND产能，引进第二阶段产线的设备投资订单。稍早三星透过西安厂第一阶段投资，已经拥有了6万片规模的量产设备，预计第二阶段追加投资规模，以12吋晶圆为基准，大约为6.5万片，3D V-NAND量产规模进一步增加。

三星最早在2013年推出24层3D V-NAND，2014年量产32层3D V-NAND，2015年东芝/闪迪对外宣布将在下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐，改建的Fab 2预计2016年开始投入生产，美光、SK海力士也将开始量产32层3D NAND。三星存储器事业部解决方案负责人李东基(音译)在6月初召开的2015年投资人论坛上表示，将年内推出3世代48层堆栈的V-NAND，同时规划64层3D V-NAND量产时程，3D技术将更上一个层次。

市调机构IHS指出，全球NAND Flash市场上，2015年3D NAND比重约为4.5%，2016年则将快速提升到21%，到2017年则将达到40%，2018年3D NAND比重将超过50%，逐渐成为NAND Flash主流产品。