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今天，三星宣布了一个好消息——20nm 4Gb DDR3内存模组已进入量产阶段。而这，将对智能手机、平板、以及个人电脑行业产生极大的影响。

该公司称，“修改后的双模式技术，实现了新的里程碑。在20nm DDR3内存模组上，我们用到了当前的光刻设备，还结合了下一代的10nm级DRAM生产技术(核心部分)。

此外，三星还提升了生产力，与当前的25nm DDR3制程相比，其速度提升了30%。与30nm级别的DDR3制程相比，更是提升了两倍以上”。

三星进一步解释称，新的20nm 4Gb DDR3内存模组，其最多能减少25%的能源消耗(与当前的25nm制程相比)。

有鉴于此，电池捉急的移动设备(如智能机、平板、以及笔记本电脑等)，将成为最大的受益者。