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三星烧钱规模 破全球历年纪录

编辑:Helan   发布:2010-05-18 08:53
看好景气逐渐复苏带动需求,韩国电子巨擘三星电子(Samsung Electronics)周一宣布超大手笔扩张今年资本支出,而达18兆韩元(约合159亿美元),较去年资本支出8兆韩元增逾一倍。此一规模创下全球科技业历来最高纪录,而且超过英特尔、IBM与索尼资本支出的总合。三星电子砸下重金巩固在半导体与面板业的全球领导地位,势必会对亚洲同业造成沈重压力。
同时,日前才恢复三星董事长一职的李健熙,拟于5月24日与索尼执行长史特林格(Howard Stringer)在首尔会面。据报导,会谈重点在三星对索尼增加供应LCD面板供给,同时亦将谈及3D电视合作事宜。由此突显市场需求反弹强劲,电视制造商面临零件供应吃紧的情况。
身为全球LCD面板以及存储器芯片龙头的三星电子,先前曾表示今年资本支出至少 8.5 兆韩元,不过眼见全球消费性电子与信息科技产业不断回温,因而大举将资本支出调高至18兆韩元,展现拉开与对手间技术与市占差距的强烈企图心。三星股价周一下跌逾3%,跌幅超过大盘。
Meritz证券市场分析师李善泰(音译)表示,三星电子银弹充裕,截至3月底止手中握有高达约20兆韩元的约当现金,方能大手笔砸钱投资,反观其对手甫自景气衰退中逐渐复苏而已。
三星电子对存储器事业所投入的资本支出,由原先的5.5兆韩元调高至9兆韩元,LCD面板资本支出由3兆韩元增至5兆韩元。三星表示,拟于现有存储器厂房增建一条新产线,预计明年投产;同时三星亦计划建造一条8代面板产线。
  三星上季公布获利创新高后,料可避免晶片供需循环加速情况,主因是对手无力扩大支出。三星大手笔投资,记忆体晶片产业支出将攀抵2007年最高,应用材料(Applied Materials US-AMAT)等半导体设备制造商将可雨露均露。
德意志证券驻东京分析师宫本即认为,“三星发布如此庞大的预算,目的在于压制对手。”他指出,“三星可藉此投资持续在DRAM市场称霸,毕竟日厂尔必达难以追赶,但NAND芯片市场的经营不仅在于资金,还包括精密的技术,因此要甩开东芝并不容易。”
尽管三星财大气粗,计划大举扩产,但专家普遍认为存储器芯片不会有立即陷入供过于求的危机,除非对手亦加入扩产竞赛,才可能引发警讯,但目前看来可能性不大。
企业信息
公司总部
公司名称:
三星
地点:

韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号

成立时间:
1969年
所在地区:
韩国
联系电话:
+82-31-209-7114

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