编辑:Andy 发布:2024-08-01 10:45
据韩媒etnews报道,业内人士透露,SK海力士已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。
据了解,SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说,即采用“晶圆到晶圆(W2W)”技术,该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。
到目前为止,SK海力士一直在同一块晶圆上实现存储NAND闪存数据的“单元(cell)”区域和驱动这些单元的电路区域“外围电路(periphery, 或称peri)”。通过采用混合键合技术,可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步,这有助于在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。
将存储单元(cell)堆叠在外围电路(periphery)之上的结构被称为“Peri-Under-Cell (PUC)”。这就像高层复合公寓,其中底层是商铺(periphery),上面是住宅区(cell)。
三星电子也采用了类似的结构来实现其NAND Flash,称为“Cell-On-Peri (COP)”。根据存储单元是一次性堆叠还是分两次堆叠,分为“单堆叠(single-stack)”和“双堆叠(double-stack)”。
然而,随着NAND单元数量的增加,将periphery放置在cell下方面临着限制。这是因为cell在堆叠过程中无法承受高温和高压导致被损坏。
克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和periphery,然后重新连接两个晶圆来生产NAND的方法。在这种情况下,cell可以堆叠超过400层,并且可以单独制造驱动单元的晶圆,从而稳定地增加NAND层数。鉴于这些优势,SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。
对该NAND闪存产品的生产,SK海力士表示,“公司对技术研发或量产时期的具体计划无法评论。”
存储原厂 |
三星电子 | 59600.00 | KRW | +2.58% |
SK海力士 | 190300.00 | KRW | -2.91% |
美光科技 | 106.390 | USD | -1.41% |
英特尔 | 22.920 | USD | +1.06% |
西部数据 | 69.710 | USD | +0.37% |
南亚科 | 42.30 | TWD | -2.42% |
华邦电子 | 19.20 | TWD | -2.78% |
主控厂商 |
群联电子 | 468.00 | TWD | -2.30% |
慧荣科技 | 56.700 | USD | +1.14% |
美满科技 | 83.440 | USD | +2.24% |
点序 | 57.60 | TWD | -2.04% |
国科微 | 70.25 | CNY | -3.00% |
品牌/模组 |
江波龙 | 89.06 | CNY | -5.35% |
希捷科技 | 101.320 | USD | -1.64% |
宜鼎国际 | 257.50 | TWD | -0.39% |
创见资讯 | 95.00 | TWD | -1.14% |
威刚科技 | 84.50 | TWD | -1.86% |
世迈科技 | 20.850 | USD | +0.43% |
朗科科技 | 23.23 | CNY | -5.42% |
佰维存储 | 63.50 | CNY | -2.71% |
德明利 | 85.60 | CNY | -2.55% |
大为股份 | 12.15 | CNY | -1.06% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.75 | TWD | -2.40% |
力成 | 126.00 | TWD | -4.55% |
长电科技 | 38.62 | CNY | +0.26% |
日月光 | 158.50 | TWD | -1.55% |
通富微电 | 23.35 | CNY | -0.51% |
华天科技 | 12.91 | CNY | +9.97% |
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