编辑:AVA 发布:2024-06-24 10:57
SK海力士近日在“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。
据韩媒报道,SK海力士报告称,其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000个3D DRAM中,约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性,这是SK海力士首次披露其 3D DRAM开发的具体数字和特性。
但SK海力士也表示,虽然3D DRAM潜力巨大,但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出,与2D DRAM的稳定运行不同,3D DRAM表现出不稳定的性能特征,需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。
3D DRAM也是三星电子、美光等存储原厂的重点开发领域。三星电子已成功将3D DRAM堆叠到16层,并计划在2030年左右量产3D DRAM;美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利,如果3D DRAM技术有所突破,它可以在没有EUV设备的情况下制造出比现有DRAM更好的DRAM产品。 、
存储原厂 |
三星电子 | 81500 | KRW | -0.12% |
SK海力士 | 236500 | KRW | 0% |
美光科技 | 131.530 | USD | -0.53% |
英特尔 | 30.970 | USD | +1.24% |
西部数据 | 75.770 | USD | -1.11% |
南亚科 | 69.7 | TWD | +2.2% |
华邦电子 | 25.7 | TWD | +2.59% |
主控供应商 |
群联电子 | 617 | TWD | +3.87% |
慧荣科技 | 80.990 | USD | +0.85% |
美满科技 | 69.900 | USD | +1.70% |
点序 | 78.7 | TWD | +0.9% |
国科微 | 52.84 | CNY | +2.44% |
品牌/模组 |
江波龙 | 94.74 | CNY | +1.50% |
希捷科技 | 103.270 | USD | -0.80% |
宜鼎国际 | 302 | TWD | +0.67% |
创见资讯 | 115 | TWD | -5.74% |
威刚科技 | 108 | TWD | 0% |
世迈科技 | 22.870 | USD | +0.79% |
朗科科技 | 20.19 | CNY | -0.20% |
佰维存储 | 64.15 | CNY | +4.31% |
德明利 | 86.40 | CNY | +1.28% |
大为股份 | 9.75 | CNY | +1.14% |
封装厂商 |
华泰电子 | 58.9 | TWD | -0.17% |
力成 | 188 | TWD | -1.05% |
长电科技 | 31.71 | CNY | +0.89% |
日月光 | 168.5 | TWD | -2.03% |
通富微电 | 22.39 | CNY | +1.45% |
华天科技 | 8.15 | CNY | +0.74% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2