编辑:AVA 发布:2024-05-23 11:09
据韩媒报道,SK海力士负责良率的副总裁权在淳近日在接受英国《金融时报》采访时表示,“我们已成功将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了50%。这些芯片的良率已几乎达到80%的目标。”
这是SK海力士首次公开披露HBM3E的产量信息。此前,业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%-70%之间。
权副总裁强调:“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能时代,提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”
HBM 制造需要垂直堆叠多个 DRAM,因此工艺复杂度比标准 DRAM 更高,尤其是 HBM3E 的关键部件硅通孔 (TSV) 良率一直很低,仅为 40% 至 60%,因此其改进面临巨大挑战。
继为 AI 半导体龙头英伟达提供近乎独家的 HBM3 供应后,SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品,并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4(第六代)计划于明年下半年推出,16 层版本预计将于 2026 年投入生产。
SK 海力士快速开发下一代 DRAM 的动力源于快速增长的 AI 市场。SK 海力士预测,到 2028 年,主要用于 AI 应用的 HBM 和高容量 DRAM 模块产品将占据整个内存市场 61% 的市场份额。
存储原厂 |
三星电子 | 57000 | KRW | -0.87% |
SK海力士 | 200500 | KRW | +1.57% |
美光科技 | 112.770 | USD | -0.56% |
英特尔 | 26.115 | USD | -0.44% |
西部数据 | 70.080 | USD | -0.51% |
南亚科 | 40.70 | TWD | -3.21% |
华邦电子 | 19.50 | TWD | -1.52% |
主控厂商 |
群联电子 | 466.0 | TWD | -1.58% |
慧荣科技 | 54.200 | USD | -3.37% |
美满科技 | 94.020 | USD | +0.09% |
点序 | 57.0 | TWD | -1.04% |
国科微 | 72.06 | CNY | -0.40% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.01 | CNY | +2.56% |
希捷科技 | 104.910 | USD | -0.19% |
宜鼎国际 | 252.5 | TWD | -2.88% |
创见资讯 | 97.4 | TWD | -0.61% |
威刚科技 | 90.0 | TWD | -0.11% |
世迈科技 | 17.545 | USD | -2.20% |
朗科科技 | 22.88 | CNY | +0.44% |
佰维存储 | 66.08 | CNY | +0.50% |
德明利 | 86.69 | CNY | +1.31% |
大为股份 | 12.41 | CNY | +3.94% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.10 | TWD | -1.85% |
力成 | 127.5 | TWD | -1.54% |
长电科技 | 43.61 | CNY | -0.50% |
日月光 | 155.5 | TWD | -0.32% |
通富微电 | 33.52 | CNY | -0.95% |
华天科技 | 13.20 | CNY | +0.46% |
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