编辑:AVA 发布:2024-05-23 11:09
据韩媒报道,SK海力士负责良率的副总裁权在淳近日在接受英国《金融时报》采访时表示,“我们已成功将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了50%。这些芯片的良率已几乎达到80%的目标。”
这是SK海力士首次公开披露HBM3E的产量信息。此前,业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%-70%之间。
权副总裁强调:“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能时代,提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”
HBM 制造需要垂直堆叠多个 DRAM,因此工艺复杂度比标准 DRAM 更高,尤其是 HBM3E 的关键部件硅通孔 (TSV) 良率一直很低,仅为 40% 至 60%,因此其改进面临巨大挑战。
继为 AI 半导体龙头英伟达提供近乎独家的 HBM3 供应后,SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品,并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4(第六代)计划于明年下半年推出,16 层版本预计将于 2026 年投入生产。
SK 海力士快速开发下一代 DRAM 的动力源于快速增长的 AI 市场。SK 海力士预测,到 2028 年,主要用于 AI 应用的 HBM 和高容量 DRAM 模块产品将占据整个内存市场 61% 的市场份额。
存储原厂 |
三星电子 | 81700 | KRW | +0.25% |
SK海力士 | 235000 | KRW | -0.63% |
美光科技 | 131.530 | USD | -0.53% |
英特尔 | 30.970 | USD | +1.24% |
西部数据 | 75.770 | USD | -1.11% |
南亚科 | 69 | TWD | -1% |
华邦电子 | 25.5 | TWD | -0.78% |
主控供应商 |
群联电子 | 610 | TWD | -1.13% |
慧荣科技 | 80.990 | USD | +0.85% |
美满科技 | 69.900 | USD | +1.70% |
点序 | 78 | TWD | -0.89% |
国科微 | 52.00 | CNY | -1.59% |
品牌/模组 |
江波龙 | 95.62 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.270 | USD | -0.80% |
宜鼎国际 | 318 | TWD | +5.3% |
创见资讯 | 112.5 | TWD | -2.17% |
威刚科技 | 109.5 | TWD | +1.39% |
世迈科技 | 22.870 | USD | +0.79% |
朗科科技 | 20.06 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 65.97 | CNY | +2.84% |
德明利 | 91.30 | CNY | +5.67% |
大为股份 | 9.68 | CNY | -0.72% |
封装厂商 |
华泰电子 | 58.5 | TWD | -0.68% |
力成 | 187 | TWD | -0.53% |
长电科技 | 31.28 | CNY | -1.36% |
日月光 | 164.5 | TWD | +0.61% |
通富微电 | 22.51 | CNY | +0.54% |
华天科技 | 8.13 | CNY | -0.25% |
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