编辑:AVA 发布:2024-05-23 11:09
据韩媒报道,SK海力士负责良率的副总裁权在淳近日在接受英国《金融时报》采访时表示,“我们已成功将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了50%。这些芯片的良率已几乎达到80%的目标。”
这是SK海力士首次公开披露HBM3E的产量信息。此前,业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%-70%之间。
权副总裁强调:“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能时代,提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”
HBM 制造需要垂直堆叠多个 DRAM,因此工艺复杂度比标准 DRAM 更高,尤其是 HBM3E 的关键部件硅通孔 (TSV) 良率一直很低,仅为 40% 至 60%,因此其改进面临巨大挑战。
继为 AI 半导体龙头英伟达提供近乎独家的 HBM3 供应后,SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品,并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4(第六代)计划于明年下半年推出,16 层版本预计将于 2026 年投入生产。
SK 海力士快速开发下一代 DRAM 的动力源于快速增长的 AI 市场。SK 海力士预测,到 2028 年,主要用于 AI 应用的 HBM 和高容量 DRAM 模块产品将占据整个内存市场 61% 的市场份额。
存储原厂 |
三星电子 | 56000 | KRW | -0.71% |
SK海力士 | 176700 | KRW | +4.68% |
美光科技 | 102.760 | USD | +4.46% |
英特尔 | 24.440 | USD | +1.79% |
西部数据 | 65.880 | USD | +3.20% |
南亚科 | 35.85 | TWD | -2.18% |
华邦电子 | 18.05 | TWD | +1.40% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.0 | TWD | +1.51% |
慧荣科技 | 54.800 | USD | +3.26% |
美满科技 | 92.940 | USD | +3.43% |
点序 | 54.1 | TWD | +0.93% |
国科微 | 64.25 | CNY | -5.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.00 | CNY | -5.16% |
希捷科技 | 99.920 | USD | +1.94% |
宜鼎国际 | 235.0 | TWD | +1.95% |
创见资讯 | 92.2 | TWD | +0.44% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 17.410 | USD | +2.71% |
朗科科技 | 21.71 | CNY | -1.00% |
佰维存储 | 56.40 | CNY | -5.21% |
德明利 | 76.53 | CNY | -5.17% |
大为股份 | 11.18 | CNY | -6.83% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.81% |
长电科技 | 38.92 | CNY | -5.19% |
日月光 | 156.5 | TWD | +1.95% |
通富微电 | 29.66 | CNY | -6.99% |
华天科技 | 11.76 | CNY | -4.62% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2