ASML：High-NA EUV2025年量产，超高NA EUV将于2030年登场

据日媒报导，微影曝光设备龙头艾司摩尔(ASML) 执行副总裁Christophe Fouquet 近日表示，半导体产业需要在2030年代开发数值孔径0.75的超高NA EUV 曝光技术，满足半导体发展。

Christophe Fouquet 表示，自2010 年代以来EUV 技术越来越成熟，半导体制程微缩至2020年前后三年，以超过50%幅度前进，不过速度可能会在2030 年代放缓。

ASML计划年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光设备，2025年量产出货。2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33的传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。

High-NA EUV预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光，可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI 和JSR及东京电子等正与ASML合作，开发High-NA EUV材料与特用化学品。

Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML 传统型号EUV 光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D 增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W 指日可待。

到2030年代，使用High NA EUV 的多重图案将与单一图案一起完成，以提高产量，并降低制程成本，需要更高数值孔径的EUV曝光(NA=0.75)。借DUV (干式)、ArF (浸没式)、EUV 和High-NA EUV 技术形成图案的每个电晶体成本都不断变化，考量到新技术价格一定高于EUV 每套3 亿美元，High-NA EUV价格将非常可观，但仍取决于客户需求和开发成本。