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美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。新工厂计划于2026年开始运营，并从2027年开始扩大美光的先进封装总产能，以满足人工智能增长的需求，并将与美光在新加坡的现有业务产生协同效应。

美光在HBM先进封装方面的投资约为70亿美元（95亿新元）。美光未来在新加坡的扩张计划也将支持 NAND 的长期制造需求。

FY2025Q1财季(2024年9-11月)显示，美光在HBM方面取得了巨大进展，由于在良率和产能提升方面的稳健执行，本季度HBM收入环比增长一倍以上，超出了此前的计划，并且HBM毛利率显著提高了DRAM和整体毛利率。另外，美光的8层堆叠HBM3E被设计用于英伟达的Blackwell B200和GB200平台。

美光表示，HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比HBM3E提高50%以上，预计HBM4将于2026日历年实现量产。目前，HBM4E开发工作在顺利进行，HBM4E将采用台积电的先进逻辑晶圆代工工艺，为某些客户提供定制逻辑基片选项，预计这种定制能力将推动美光的财务业绩提升。