助力良率提升！韩国采用石墨烯制造小于5nm EUV薄膜

据韩媒报道，韩国半导体和显示材料开发商Graphene Lab11月14日宣布，其已开发出用石墨烯制造小于5nm的EUV薄膜的技术，并已准备好量产新型薄膜。

Graphene Lab CEO Kwon Yong-deok表示，“以前薄膜是由硅制成的，但我们使用了石墨烯，对于使用 ASML 的 EUV 光刻设备的半导体公司来说，石墨烯薄膜将成为良率的助推器。”三星电子、台积电和英特尔都将是其潜在客户。

薄膜可保护光掩模表面免受空气中分子或污染物的影响。对于5nm或以下的超微制造工艺至关重要。它是一种需要定期更换的消耗品。由于EUV设备的光源波长较短，因此薄膜需要较薄以增加透光率。此前，硅已被用于制造薄膜，但石墨烯是一种更好的材料，因为它比硅更薄、更透明。EUV薄膜必须能够承受曝光过程中发生的 800 度或更高的高温。由于其在高温下的硬化特性，硅胶非常容易破裂。