5G手机将在2019年齐发，下一代存储技术进展如何？

日前，第三届高通骁龙技术峰会上，高通宣布新一代旗舰处理器骁龙855正式亮相，联发科也正式宣布推出首款5G基带芯片MTK Helio M70，引爆5G手机市场商机。市场预计，2019年三星、华为、OPPO、VIVO、小米、中兴、谷歌等手机制造商5G手机将会陆续上市，给全球低迷的智能型手机市场需求带来成长动能。

为了迎合5G手机的快速发展，下一代存储技术UFS3.0和LPDDR5目前进展如何？

全新的LPDDR5传输速度最高可达到6400Mbps

相对于LPDDR4，全新的LPDDR5传输速度最高可达到6400Mbps，这是LPDDR4的两倍。LPDDR5引入了全新的WCK时钟的双差分时钟系统，差分时钟能提高频率。LPDDR5支持ECC功能，这样就能允许从传输错误或者存储电荷丢失中恢复数据。LPDDR5降低功耗，这也是对移动设备更好的支持。

三星已在2018年7月份推出业界首款10nm级8Gb LPDDR5，并完成8GB LPDDR5（八颗8Gb LPDDR5封装）功能测试和验证，将在韩国平泽工厂量产，开始向LPDDR5标准过渡。三星8Gb LPDDR5数据传输速率高达6400Mbps，是目前旗舰手机主流搭载LPDDR4X（4266Mbps）速度的1.5倍。新的LPDDR5每秒可以传送51.2GB的数据，相当于大约14个全高清视频文件（3.7GB/个）。

此外，SK海力士也宣布成功开发1ynm 16Gb DDR5，支持5200Mbps的数据传输速率，比DDR4 3200Mbps快约60%，功耗降低30%，每秒可处理41.6GB数据，将在2020年大规模量产。与DDR4相比，DDR5具有超高速、高密度、低功耗等优势，适用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。

全新的UFS3.0传输速度最高23.2Gbps 

2018年3月JEDEC公布了UFS 3.0标准，全新UFS 3.0引入MIPI M-PHY v4.1物理层规范和MIPI UniProSM v1.8传输层规范，单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps。UFS 3.0还可通过多通道继续提升传输带宽，在双通道和四通道配置下带宽分别可达到23.2Gbps和46.4Gbps。

此外，UFS 3.0使用2.5V VCC电压降低功耗，支持最新NAND Flash技术；温度范围也从-25至85度扩展为- 40度至105度，若在手机上实现商用，便可避免在极高、低温环境下，手机停止工作的情况；同时还符合车载汽车、监控、工业等领域对宽温的高要求。

三星将要推出的新一代UFS 3.0产品，容量从128GB起跳，还提供256GB和512GB选择，群联也推出了UFS3.0控制芯片布局市场，预计到2019年将会有更多的存储厂商推出UFS3.0产品。三星曾表示，将在2019上半年可以在手机上用上UFS 3.0。市场预计三星将在2019年发布的Galaxy S10有望搭配UFS3.0存储。

UFS3.0有望2019年在高端手机上商用，LPDDR5要等到2020年

随着处理器性能的不断提升，存储性能在手机上的重要性逐渐凸显，三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等均加快布局下一代存储技术UFS3.0和LPDDR5，并成为下一代高端旗舰智能机的亮点。

市场预计，在三星UFS 3.0技术推动下，三星旗舰机有望在高端手机上率先实现UFS3.0的商用。至于LPDDR5，高通Snapdragon 855仍然支持的是LPDDR4x，而且LPDDR5也要在2020年才会大规模的量产出货，预计高端手机搭载LPDDR5要等到2020年才会实现。