编辑:Helan 发布:2018-10-23 08:56
三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)双双投入极紫外光(EUV)技术的DRAM制程研发,欲在存储器市场取得更大领先。日前三星电子宣布已完成技术研发,即将进入EUV商用化阶段,引起业界关注后续发展。
据韩媒Business Post报导,三星电子日前表示即将在7纳米系统半导体代工生产启用EUV技术,后续也会将EUV技术延伸到DRAM生产。三星是目前唯一成功在系统半导体导入EUV制程的业者,将EUV技术用在DRAM领域将指日可待。
三星电子表示,准备从10纳米中段(1y)DRAM开始采用EUV技术,逐渐扩大到10纳米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM产品的技术竞争力。
SK海力士最近发表利川新工厂兴建计画,也松口会提高投资规模,采用最新EUV技术进行生产。韩国业界表示,SK海力士持续进行EUV技术研发,待工厂完工时应可顺利与新技术接轨。
以EUV技术生产DRAM在存储器市场将相当具有竞争力,因为产品不但能提高性能与电力效率,芯片体积也可缩小,使每片晶圆可生产的芯片数量增加,有效节省生产成本。DRAM价格易受市场景气影响波动,对业者而言,降低生产成本至关重要。
目前为止DRAM业者的技术水平差距不大,产品性能也未存在太大差异,使业者之间只能不断进行激烈的价格竞争。但若三星电子与SK海力士采用EUV技术生产DRAM,所提高的产品水平将更易于满足客户需求。
尤其人工智能(AI)服务器与自驾车等新兴科技领域对DRAM的质量要求提高,订单恐会涌向生产技术领先的DRAM业者。相较于美光(Micron)对采用EUV技术态度较为消极,三星电子与SK海力士积极以新技术欲维持领先。
三星电子表示,在半导体生产采用EUV技术之后,将可让5G、AI、物联网(IoT)等领域的技术发展速度加快,后续将会扩大EUV技术应用,提供客户更完善的产品服务。
韩国分析师预测,2019年起半导体业者将调整策略,减少DRAM方面的投资,有助市场景气维持良好。亦即包括三星电子、SK海力士在内的DRAM业者会放慢DRAM投资脚步。
存储原厂 |
三星电子 | 59600.00 | KRW | +2.58% |
SK海力士 | 190300.00 | KRW | -2.91% |
美光科技 | 106.390 | USD | -1.41% |
英特尔 | 22.920 | USD | +1.06% |
西部数据 | 69.710 | USD | +0.37% |
南亚科 | 42.30 | TWD | -2.42% |
华邦电子 | 19.20 | TWD | -2.78% |
主控厂商 |
群联电子 | 468.00 | TWD | -2.30% |
慧荣科技 | 56.700 | USD | +1.14% |
美满科技 | 83.440 | USD | +2.24% |
点序 | 57.60 | TWD | -2.04% |
国科微 | 70.25 | CNY | -3.00% |
品牌/模组 |
江波龙 | 89.06 | CNY | -5.35% |
希捷科技 | 101.320 | USD | -1.64% |
宜鼎国际 | 257.50 | TWD | -0.39% |
创见资讯 | 95.00 | TWD | -1.14% |
威刚科技 | 84.50 | TWD | -1.86% |
世迈科技 | 20.850 | USD | +0.43% |
朗科科技 | 23.23 | CNY | -5.42% |
佰维存储 | 63.50 | CNY | -2.71% |
德明利 | 85.60 | CNY | -2.55% |
大为股份 | 12.15 | CNY | -1.06% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.75 | TWD | -2.40% |
力成 | 126.00 | TWD | -4.55% |
长电科技 | 38.62 | CNY | +0.26% |
日月光 | 158.50 | TWD | -1.55% |
通富微电 | 23.35 | CNY | -0.51% |
华天科技 | 12.91 | CNY | +9.97% |
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