美光64层3D NAND Q2量产，预计Q3中旬开始出货

美光成立于1978年，早在1980 年就进入DRAM 制造业，2004年进入NAND Flash领域，已是全球DRAM和NAND Flash主要的供应商，2016年美光DRAM市占率19%，排名第三；NAND Flash市占率13%，排名第四，整体营收达130亿美元，净亏损更是高达3亿美金。

2016年DRAM市场占有率

2016年NAND Flash市场占有率

美光2017年面临的挑战：一方面，美光2016年整体营收达130亿美元，净亏损高达3亿美金，营收业务结构中DRAM占60%，非易失性产品占30%。由于PC及平板市场需求持续萎缩，使得美光以DRAM为主体的业务受到影响，导致营收连续三年下滑，甚至亏损严重，2017年急需新血液带动增长。

另一方面，2017年NAND Flash工艺正在向3D技术过渡，DRAM也在向1xnm发展，美光将面临新技术上的挑战，包括技术研发、投资支出、以及新投产线等，还要应对来自三星、东芝、SK海力士等其他厂商的激烈竞争，以及3D Xpoint技术实现商用。

目前NAND Flash市场现状

由于Flash原厂NAND Flash技术由2D向3D转换，2D NAND产能受到排挤，3D NAND良率又不如预期，再加上智能手机、SSD需求和容量却均在不断增长，导致整个NAND市场供不应求，刺激相关闪存产品价格持续上涨。

2017年初NAND Flash市场依然受供货紧缺影响，价格涨势不减，据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，截止到3月底，消费类NAND Flash每GB销售价格接近0.3美金，已涨回3年前的价格水平，在高成本因素下，已对厂商和市场造成了很大的影响，预计在原厂3D NAND大量释放之前，市场供货紧缺的市况将持续到第三季度。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket统计，2016年NAND Flash市场供应量1160亿GB当量，嵌入式存储和SSD大约消耗81%的产能。美光乐观预测，到2019年全球NAND Flash总需求量将超过3000亿GB当量，其中移动存储和SSD需求将高达95%，传统的存储卡和U盘等应用将逐步被市场淘汰。

美光3D NAND技术进展与规划

美光2016年在新加坡的Fab10实现了32层3D NAND的量产，型号分别是32GB （L06B MLC）和48GB（B0KB TLC），也是除原厂3D SSD之外，市场上品牌3D SSD的主要货源之一。为了进一步提升公司产品的竞争力，甚至超越竞争对手，美光计划在2017年持续提高第一代32层3D NAND量产比重，除了32GB和48GB容量，还将增加8GB（L04A MLC）和16GB（B05A TLC）容量。

美光下一代3D NAND技术将略过48层，直接跳到64层，Q2开始量产，预计Q3中旬开始出货，除了以消费类市场移动存储、SSD应用为主，还将扩展到企业级领域，有望缓解市场缺货的市况。据悉，美光2016年底已有32GB（TLC B16A）容量64层3D NAND样品，从2017年Q2季度起逐步提高产量，同时增加42GB（MLC L1HA）和64GB（TLC B17A）容量，年底实现量产，到2018年初有望将容量提高到128GB，同时还会积极推动3D Xpoint技术在数据中心领域带来的营收价值。

因为3D NAND堆叠技术的优势，以及3D NAND TLC产出增加，使得单位Bit成本减少，美光称第一代32层3D NAND要较16nm 2D NAND成本至少减少25%，第二代64层3D NAND比32层成本至少减30%，这也是美光急于向3D切换和更高堆叠层发展的重要原因之一。随着美光3D NAND产出的增加，16nm 2D NAND产量会逐步减少，而且2D NAND制程也将终结于16nm，直接放弃2D NAND技术研发的计划。

美光Fab工厂分布和投产情况

美光NAND Flash生产基地主要分布在美国和新加坡，3D NAND主要在新加坡工厂量产，新建的Fab 10X将在2017年扩大投产规模。

1、美国爱达荷州FAB1C工厂 - NAND研发中心所在地。

2、新加坡Fab 10X - 是3D NAND专用工厂，计划在2017年量产64层3D NAND，整体产能大约10-12万片/月。

3、新加坡Fab10N - 是目前3D NAND主力出货工厂， 2016年初逐步增加32层3D NAND，2017年逐步转向64层3D NAND制造，整体产能大约13万片/月。

4、新加坡Fab 7 - 用于生产2D NAND

5、犹他IMFT Fab2 - 生产2D NAND和3D xPoint，整体产能大约7万片/月。

6、维吉尼亚MTV - 生产2D NAND，整体产能大约4万片/月。

7、大连Fab68 - 英特尔独自投资55亿美元升级设备，2016年Q3开始试产32层3D NAND，2017年预计转至64层量产。