三星电子(Samsung Electronics)推出的OneNAND存储器技术，是1种混合式存储器的概念，其基础概念是将NAND Flash芯片、SRAM芯片和逻辑芯片整合成1颗单芯片，其中采用的是NOR Flash界面，因此是集合NAND Flash高容量优点和NOR Flash读取速度快的特性于一身，而SRAM芯片的角色则是作为高速缓冲区。
以SRAM芯片的角色而言，因为速度的优势，可让下载资料实在很短时间内快速完成，达到和NOR Flash芯片一样的高速效果，但缺点是SRAM的晶体管利用效率非常低，无法采用太大的容量。
过去三星陆续推出1Gb、2Gb和4Gb的OneNAND存储器产品，现在采用最新进的30奈米制程生产的8Gb芯片也正式问世，其读取速度是每秒70 MB，是传统NAND Flash芯片读取速度的4倍以上；再者，低电压的特色可处理触控屏幕和其它智能型手机功能的大量程序资料。
再者，三星在OneNAND存储器中，三星也设计了1款「Datalight OneBoot」嵌入式控制软件，在实际运行时，可象是使用硬碟一样来调用OneNAND资源，读写操作的具体算法由OneBoot在底层直接实现。且在坏块管理上，可透过OneBoot技术来做即时扫描或是隐藏坏块，在此情况下，代码运行或资料读写时就不会读写到这个区域，资料可靠性也可大幅增加。
而在「Datalight OneBoot」软件的基础下，三星也发展出「OneBoot+File」技术，目的在于加快系统的启动速度。
三星目前积极推广以OneNAND存储器技术的混合性产品，来取代传统的NOR Flash或NAND Flash在手机中的解决方案，基本上还是取代NOR Flash芯片角色的意味较浓，虽然OneNAND存储器具有读写速度高、客户在设计新机种时简易化等优点，但价格则是较高，因此要看客户的接受度。
其它类似的混合式存储器概念产品，还有飞索(Spansion)推出的ORNAND，以及三星另一款Flex-OneNAND存储器，目的都是撷取各种存储器的优点，并简化手机存储器设计的流程，加速手机客户新机种上市的时间。
