三星：30奈米制程DDR MLC NAND开始量产领先业界

编辑：Helan 发布：2009-12-02 10:42

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)于美东时间11月30日晚间9时发布新闻稿宣布，该公司已领先业界量产采30奈米制程技术、支援非同步(asynchronous) DDR (double data rate)介面的32Gb MLC NAND型快闪记忆体，已在11月底开始对主要OEM出货。

三星电子表示，DDR NAND将显著提升高运算、大容量行动装置的资料读取速度，每秒可读取133Mb的数据(133Mbps)，预料将取代读取速度达40Mbps的SDR (single data rate) MLC NAND。三星表示，上述产品将可显著提升NAND型快闪记忆体对高容量消费性电子产品的贡献度，以满足逐渐升高的影片分享需求。

根据科技市调机构Gartner预测，2012年全球NAND型快闪记忆体销售额可望由2009年的138亿美元攀升至236亿美元。

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SK海力士	246250	KRW	-0.10%
铠侠	2091	JPY	+2.20%
美光科技	121.820	USD	+1.23%
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朗科科技	23.23	CNY	-1.94%
佰维存储	63.18	CNY	-1.05%
德明利	130.60	CNY	-1.84%
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封测厂商

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力成	132.0	TWD	-0.75%
长电科技	32.05	CNY	-0.80%
日月光	146.5	TWD	-1.01%
通富微电	23.84	CNY	-0.96%
华天科技	8.85	CNY	-1.23%

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