编辑: 发布:2009-02-20 14:02
闪存可以分为两种类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。影响它们性能的因素主要有以下几点:
1.PCB底板的线路设计和元器件的焊接工艺也对整个产品性能有较大影响。
2.闪存盘的封装形式也有影响。
3. 大容量闪存的页越多、页越大,寻址时间越长。
4. 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量,大容量的页有更好的性能。
5. 制造工艺可以影响晶体管的密度,也对一些操作的时间有影响。
存储原厂 |
三星电子 | 56000 | KRW | -0.71% |
SK海力士 | 176700 | KRW | +4.68% |
美光科技 | 103.030 | USD | +0.26% |
英特尔 | 24.513 | USD | +0.30% |
西部数据 | 66.495 | USD | +0.93% |
南亚科 | 35.85 | TWD | -2.18% |
华邦电子 | 18.05 | TWD | +1.40% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.0 | TWD | +1.51% |
慧荣科技 | 55.115 | USD | +0.57% |
美满科技 | 92.860 | USD | -0.09% |
点序 | 54.1 | TWD | +0.93% |
国科微 | 64.25 | CNY | -5.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.00 | CNY | -5.16% |
希捷科技 | 100.230 | USD | +0.31% |
宜鼎国际 | 235.0 | TWD | +1.95% |
创见资讯 | 92.2 | TWD | +0.44% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 17.635 | USD | +1.29% |
朗科科技 | 21.71 | CNY | -1.00% |
佰维存储 | 56.40 | CNY | -5.21% |
德明利 | 76.53 | CNY | -5.17% |
大为股份 | 11.18 | CNY | -6.83% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.81% |
长电科技 | 38.92 | CNY | -5.19% |
日月光 | 156.5 | TWD | +1.95% |
通富微电 | 29.66 | CNY | -6.99% |
华天科技 | 11.76 | CNY | -4.62% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2