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全面扭亏为盈!SK海力士将适时扩大DRAM产能

CFM闪存市场 财报分析 2024-04-25

据SK海力士最新财报显示,2024年第一季度SK海力士营收为12.43万亿韩元(约合93.5亿美元),环比增长10%,同比增长144%,营收创同期新高;经营利润为2.89万亿韩元(约合 21.7亿美元),经营利润率达23%,经营利润创同期历史次高;净利润扭亏为盈至1.92万亿韩元(约合14.4亿美元),净利润率达15%。

继去年三季度DRAM业务实现盈利后,今年一季度,SK海力士NAND业务也成功摆脱亏损扭亏为盈。SK海力士表示,随着高端eSSD产品销售比重和ASP的提升,NAND业务成功实现了扭亏为盈,该季度营业利润创下市况最佳的2018年以来同期第二高,摆脱了长时间的低迷期并转向全面复苏期。


数据来源:SK海力士,图表制作:CFM闪存市场

具体业务来看:

·NAND业务收入占比35%,约4.35万亿韩元,NAND Bit出货量环比持平,ASP环比增长超过30%。凭借具有较强竞争力的高性能16组通道eSSD、子公司Solidigm的高容量QLC eSSD为中心,着重提高产品销售,并适时推出用于AI PC的第五代 PCIe cSSD。

·DRAM业务收入占比61%,约7.58万亿韩元,DRAM Bit出货环比下降约15%,ASP环比增长超20%。SK海力士称DDR5占PC销量45%以上,占服务器Bit出货量60%以上,128GB内存模组的强劲销售带动DDR5销量,SK海力士决定加大今年3月率先开始生产的HBM3E产品的供应,并将于年内推出第五代10纳米级(1b)32Gb DDR5 DRAM产品,以满足高容量高密度服务器DRAM需求。

库存方面,该季度SK海力士库存环比微增2.7%至13.85万亿韩元。

数据来源:SK海力士,图表制作:CFM闪存市场

SK海力士适时扩大HBM和DRAM产能,今年资本支出将高于原计划

SK海力士24日已宣布将韩国清州的M15X厂定为DRAM生产基地并加速建设,并且将顺利推进龙仁半导体集群和美国印第安纳州先进封装工厂等中长期投资项目。

SK海力士投资约5.3万亿韩元建设M15X晶圆厂,该DRAM生产基地预计2025年底开始运营,其与正在扩充TSV生产能力的M15厂相邻,可进一步优化HBM生产,总投资长期将超过20万亿韩元。龙仁工厂则计划于2027年5月开业,为长期发展奠定基础。另外,SK海力士还计划构建高级位于印第安纳州西拉斐特的 PKG 工厂,用于生产AI存储产品(即HBM),总投资 38.7亿美元,预计将于2028年投产,并与当地机构、客户和合作伙伴合作,持续在人工智能半导体领域技术保持领先地位。

由于满足HBM快速增长的需求和M15X的新投资决定,SK海力士今年的资本支出预计将高于此前的原计划。SK海力士表示,此次加大投资是根据客户需求的增长趋势而决定,HBM和普通DRAM的供应也将根据市场需求逐渐提升。SK海力士表示,在AI存储需求的驱动下,存储行业的产能利用率正在逐步恢复。由于需求集中在先进节点产品,因此,增加投资对于提升晶圆生产水平至关重要。

由于2023 年的保守投资,SK海力士预计2024 年的 DRAM/NAND 产量增长有限,主要提高更大芯片尺寸的 HBM的生产。在HBM3E/HBM4产品上,今年3月,SK海力士1bnm HBM3E开始量产供货,根据客户需求增加 HBM3E 供应以扩大客户群,并与台积电合作研发HBM4 以及开发下一代封装技术。

市场展望:AI需求持续强劲,存储市场正进入全面复苏期,预计2H24后传统应用的需求也会改善

SK海力士预计二季度DRAM Bit出货量环比增长约10%,并将增加HBM3E出货量;NAND Bit出货量环比持平,eSSD出货量增加带动市场需求改善,为其他产品储备库存,直至看到更明确的终端需求复苏。

SK海力士表示,PC市场上半年相对疲软,企业级需求有望持续带动2024年下半年需求复苏,Win10支持的结束和 AI PC 的出货增长,将推动存储产品的更换需求和设备容量的同步增长。智能手机市场除部分旗舰机型新增AI功能外,市场需求整体表现疲软,预计带有AI应用程序的新品发布将刺激2024年下半年换机需求并带动单机容量增长。

随着AI技术的持续发展,AI服务器的发展重心正从训练转向推理。在此前云服务商对数据中心进行巨额投资后,数据中心的服务器更换需求将上升,AI 服务器和数据中心将更广泛地采用高密度 eSSD,令高性能、高密度、高能效存储的需求不断增长。

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股市快讯 更新于: 11-26 01:18,数据存在延时

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