基于中国市场在三星全球布局中的重要地位，三星电子继上月中旬宣布西安二期一阶段工厂投产后，日前二期二阶段也全面开工建设，并将于2021年下半年竣工，预计将用于投产128层或更高堆叠层数的3D NAND芯片。

三星在2012年落户西安，2013年投资108亿美元，兴建一期项目，并于2014年建成投产，满载月产能13万片。二期项目分为两个阶段，总投资150亿美元，其中第一阶段投资约70亿美元，二阶段项目投资80亿美元。

三星西安二期一阶段于2018年兴建，今年3月产品正式下线上市，主要生产的是第五代96层3D V-NAND芯片，不仅满足中国市场需求，还通过韩国总部远销欧美、东南亚等地，用于满足不断增长的存储需求。三星宣布开工建设的是西安二期第二阶段工厂，2021年下半年竣工，项目建成后将新增产能13万片/月，新增产值300亿元。

三星西安二期二阶段新厂建成后，将投产128层或更高堆叠层数的3D NAND

目前三星、SK海力士、铠侠/西部数据、长江存储等已经相继公开发布最新100+层3D NAND产品，原厂之间的技术竞争加剧。

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三星于2019年8月份宣布基于第六代128层技术批量生产250GB SATA SSD，同年11月实现了512Gb TLC 3D NAND的量产。

SK海力士在2019年11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品，并于近期宣布推出基于首款128层 1Tb TLC 4D NAND闪存的企业级SSD。

铠侠/西部数据也于今年1月份宣布携手研发出512Gb的BiCS5 TLC，并于2020年第一季出样，还计划推出112 层1Tb（128GB）TLC以及1.33Tb QLC产品。

长江存储发布的最新两款128层3D NAND产品，其中128层QLC 3D NAND闪存单颗Die容量1.33Tb，128层TLC 3D NAND闪存单颗Die容量512Gb，均已获得主流控制器厂商验证。

美光全新架构的128层3D NAND，也计划在第四季度开始商业出货。

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作为NAND Flash龙头企业，三星势必会加快投资步伐，其西安二期二阶段新厂计划是在2021年下半年竣工后投产，根据三星3D技术发展的时间节点，将用于投产128层或更高堆叠层数的3D NAND，持续增加全球NAND Flash供应量。

继三星西安二期一阶段投产后，平泽二期工厂也即将投产

虽然2020年受疫情影响，全球消费类市场需求受挫，同时遇到物流不畅、原材料供应乏力、人力不足等问题，但三星确保西安工厂NAND Flash产线生产不受影响，每月满载生产约13万片产能。

各家原厂新工厂投产进度

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除了三星西安工厂，三星新建成的平泽2号工厂也计划在2020年运营，大规模生产的时间尚未确定。平泽2号工厂将先建NAND Flash生产线，然后再投资建设DRAM产线，与平泽一期工厂的规划大体一致。

与三星同样豪掷新建工厂的还有铠侠和西部数据，其投资新建的岩手县北上市的K1新工厂于2018年开工，计划是在2020上半年投产。同时，铠侠和西部数据还将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂，将用于投入生产最新的3D NAND，计划可能在2022年投入生产。

△ 铠侠岩手县北上市K1制造工厂，来源：网络

此外，长江存储不仅发布128层TLC/QLC 3D NAND ，其产能也在按照既定的目标在逐步推动中，预计到2020年底至2021年向月产能10万片目标推进。

三星与铠侠和西部数据在NAND Flash市场的竞争一直未曾停歇，且产能不分伯仲，再加上长江存储追赶在后，三星危机感增加。

另一方面，当前受 “疫情”持续扩大的影响，海外市场消费类市场需求受到冲击，国际物流、交通等也受到了限制，而中国市场正处于“疫情”平息后的内需增长时期，三星西安二期工厂投产将有供货优势，而且在半导体产业短期振荡期，三星反周期投资做事风格凸显无疑。