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新年新气象,2021年DRAM有望一路向好,NAND恐“命运多舛”!

编辑:Helen 发布:2021-01-08 19:20

回顾2020年,存储产业可谓经历了一波三折,首先是“疫情”冲击全球经济,加之国际贸易竞争让存储产业供需均受影响,存储产业上半年如履薄冰。下半年,数据中心领域需求从强劲转为疲软,半导体大型并购案不断,年底更是掀起芯片涨价风潮,晶圆代工产能吃紧的情况甚至将延续到2021上半年。

对于存储市场而言,受半导体原材料、晶圆代工产能紧缺影响,存储产业的部分缓解,比如封装和主控芯片已出现涨价的情况,再加上全球“疫情”反弹,尤其是海外疫情再度恶化,加剧了供应端的不确定性,已刺激DRAM市场备货需求持续高涨。另一方面,三大DRAM原厂一直供货有限,且无大货源释放出来,现货内存价格已持续了1个多月的涨势,部分渠道内存条价格累积涨幅甚至已逼近30%。

就目前市况,云计算三大巨头有望重启采购需求,而笔记本出货也是持续强劲,正在不断增加基于16Gb颗粒内存模块需求。此外,5G手机销售也有望带动2021年出货恢复成长趋势,三星、小米、OPPO等旗舰机搭载的LPDDR对8GB/12GB容量需求增加,汽车、物联网等需求也在增长。

供应端,三大DRAM原厂三星、SK海力士、美光工厂一直增产有限,再加上2020年底美光台湾地区桃园DRAM厂遭遇断电,以及台湾地区地震导致DRAM工厂产能损失,导致2021年首季度供应减少,目前大部分业内人士认为DRAM市场仍会持续供应紧缺,供需将呈现健康发展趋势。

相较于DRAM,NAND Flash在2021年则恐将呈现不同的景象。在需求端,虽然数据中心和笔记本市场对高容量SSD需求将持续增加,但是在移动市场,虽然预计2021年5G手机销量将达到5亿台,但是新款小米11仍与小米10配置容量一样,Reno 5 Pro和VIVO X60新机也是搭载的128GB和256GB容量,对NAND Flash产能的消耗恐不及预期。

供应端,三星、铠侠/西部数据在2020年大规模提高资本支出增加投资建厂,比如三星中国西安二期和韩国平泽P2 NAND Flash产线,铠侠/西部数据Fab7和K2工厂。同时,SK海力士和美光已突破176层3D NAND,128层3D NAND将成为2021年出货主流,NAND Flash市场供应将明显大增,甚至可能会超过需求的增长,增加市场供应过剩的风险。 

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股市快讯 更新于: 09-25 08:12,数据存在延时

存储原厂
三星电子77300.00KRW-0.13%
SK海力士104000.00KRW-1.42%
美光科技74.05USD+0.01%
英特尔54.22USD+0.35%
西部数据57.94USD+0.78%
紫光股份25.40CNY-0.24%
南亚科64.9TWD+0.78%
主控供应商
群联电子394TWD-0.38%
慧荣科技75.07USD-0.07%
美满科技63.61USD+0.27%
点序129TWD+3.20%
国科微128.34CNY+6.07%
品牌/销售
希捷科技86.08USD+1.22%
宜鼎国际197TWD+1.29%
创见资讯68.1TWD+0.15%
威刚科技83.1TWD-0.12%
朗科科技12.89CNY-4.23%
封装厂商
华泰电子27.1TWD+0.37%
力成106TWD0.00%
长电科技32.00CNY-1.99%
日月光117.5TWD+0.86%
通富微电19.20CNY-0.88%
华天科技12.40CNY-1.20%