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东芝断电效应 NAND Flash价格短期拉涨

编辑:Helan 发布:2010-12-20 17:17

本周(1213-17)受到NAND Flash大厂东芝(Toshiba)上周断电事件的影响,使得NAND Flash报价开始止跌反弹,上扬幅度颇大,NAND Flash价格上扬将有助于各厂12月营收的改善。
东芝突然发生跳电事件,近期国际存储器大厂向客户预告2011年第1季供给缺口会扩大,并调涨NAND Flash合约报价,且涨幅颇大。现货NAND Flash价格也跟着调涨,本周64Gb容量产品价格上扬幅度相对较大,其次是16Gb容量产品价格,32Gb容量产品价格上扬幅度较缓慢。64Gb MLC容量产品价格上扬2%~8%,波动幅度相对较大。16GbMLC价格上扬2%~9%,波动幅度也相对较大,32Gb MLC价格上扬1%~2%,价格波动相对较小。
在闪存卡方面,价格在本周波动不大,跌涨幅度较弱,价格波动的产品也主要表现在1GB、2GB容量上,价格波动幅度在2~3%区间。本周2GB价格走势呈偏软走势,1GB价格维持在一定的价位,整体价格波动不大。市场需求也表现比较疲软,市场交易活动清淡,买气低迷,周五市场需求出现好转,但成交有限。
Micro SD 1GB/2GB本周价格走势图
 
东芝断电事件对后期影响不大,但短期内有助于NAND Flash价格的上扬。本周合约市场上游厂商预告供货将减少,大幅拉高NAND Flash合约价格,改变价格下跌的局面;下游厂商担心后续补货较难,现货市场价格也被拉涨。不仅NAND Flash价格大幅上扬,相关NAND Flash模块厂包括威刚(3260)、劲永(6145)、创见(2451)以及控制芯片大厂群联(8299)股价也跟着反弹。此外断电效应,供货减少将有助于各厂库存减少,也有助于各厂营收改善。
面对NAND Flash涨价的局面,模块厂却是喜忧参半,尽管可享有既有库存涨价利益,但终端成本增加,却不可能一次涨价转加给消费者,否则将抑制需求买气,只能逐步调涨价格,并预期这一波NAND Flash价格止跌反弹可望持续到2011年第1季。
另一方面,上游厂商仍然积极建厂,提制程技术。美光与英特尔(Intel)合资的新加坡厂将在2011年第2季开始投产,对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计划,美光表示不担心供过于求,在产能增加的同时,平板计算机等应用也大幅崛起,预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。
 
 
 

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股市快讯 更新于: 12-27 01:18,数据存在延时

存储原厂
三星电子53600KRW-1.47%
SK海力士170100KRW+0.95%
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日月光165.0TWD-0.30%
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