由于上游厂制程技术不停的演变，2Xnm制程产能大量产出，严重冲击高容量产品价格，本周（10011-1015）价格仍然持续下跌，以64、32Gb容量最为突出。Hynix 64G MLC (UCG) 9.30下跌至8.65，下跌7%；Micron 64G MLC由9.6下跌至8.9，下跌7.3%；Intel 64G MLC由8.58下跌至7.9，下跌7.9%。下跌幅度平均在7%~8%之间。32Gb容量产品价格波动幅度相对较缓，平均下跌4%左右。其中Samsung 32G MLC (LBG)本周上扬4.2% ；Hynix 32G MLC (UBG)下跌4.8%。Micron 32G MLC，下跌4.9%。8GB、16G MLC产品价格也呈跌涨起伏之势，波动幅度在1~2%左右，1~8Gb容量产品价格相对持平，由于上游制程萎缩冲击高容量产品，低容量产品价格跌涨幅度较缓，波动有限。
对于闪存卡方面，由于零售市场需求依然表现平淡，市场供货过多，市场价格持续下滑，其中128MB价格维持在10.6元价位，价格波动较弱，256MB本周下跌较上周下跌幅度增加，本周下跌5.6%，512下跌幅度一般，下跌4.5%。1GB、2GB容量产品价格下跌幅度较大波动也较频繁，1GB本周跌幅较大，由17下跌至15.8，下跌7%。2GB由23.6下跌至22.4，下跌5%，4GB容量产品价格下跌4.6%，下跌幅度也较大，8GB本周微幅下跌，下跌1.6%。
（备注：数据采用每日开盘价和收盘价作为参考）
各品牌厂9月营收较8月成长
上游大厂方面，三星第三季季营利将比去年同期成长14%，达到4.8兆韩元（43 亿美元）；营收可望成长11%至40 兆韩元。美光6 ~8 月营收为25 亿美元，较3 月至5 月营收22.9 亿美元成长9.1％，净利从9.39 亿美元锐减至3.42 亿美元。英特尔第3 季营收达到111 亿美元，较2009 年同期成长18%。净利为29.55 亿美元，年成长率为11%。飞索调高第三季(7-9月)财测,预期上季本业每股稀释盈余将达0.6-0.7美元，；营收将介于3.1-3.2亿美元之间，高于先前预估的3-3.2亿美元。旺宏9月营收达30.2亿元，月增率11%，创下近一年来新高；第三季营收81.57亿元，较上一季成长11%，达到财测的高标。
模组厂威刚9月营收为34.50亿元，月成长1.74%，较去年同期衰退15.54%。威刚第3季单季营收为103.79亿元，比第2季稍减1.38%，不过，今年1-9月营收为326.29亿元，年成长50.32%。创见自结9月营收为新台币29.7亿元，较上月大幅增加17.3 %，NAND Flash相关产品贡献9月营收达17.8亿元，占整体营收比重攀升至59.8%。劲永9月合并营收为20.57亿元，较8月的18.32亿元增加12%，创下21个月以来新高纪录。第三季合并营收约为55.63亿元，较第二季成长70%左右，较去年同期增加约80%。
封测大厂矽品9 月合并营收，达52.16亿元，较 8 月的55.7亿元衰退6.4%，较去年同期62.3亿元也衰退了16.4%；累计第 3 季合并营收达163亿元，较第 2 季微幅衰退0.5%，较去年同期则衰退了6.7%。力成9 月合并营收达33.2亿元，较 8 月成长20.7%，第 3 季合并营收达98.3亿元，较第 2 季成长5.9%，符合法说预期，累计1-9月合并营收达277.7亿元，较去年同期成长30.8%。
三星将量产20奈米级64Gb TLC 闪存 不落人后
英特尔(Intel)与美光(Micron)8月才宣布2010年底将开始量产25奈米制程3层式储存((triple-level cell；TLC)闪存(NAND Flash)，韩厂三星也不落人后，宣布10月将率先量产可储存大容量信息的20奈米级制程64Gb TLC闪存。
该产品可提供每单位 3 位的数据容量，是为囊括大容量内存市场所设计的产品，即将投入量产的20奈米级制程64Gb TLC闪存相较于30奈米级32Gb TLC产品，其量产性提高60%以上，且因采用Toggle DDR 1.0技术，传输速度更快解功能更稳定。该产品可以1个芯片储存8GB的数据量。
