本周（830-903）NAND Flash价格价格持续下跌，本周MLC NAND Flash 32Gb、64Gb容量产品价格大幅修正，下跌幅度颇深，16Gb容量产品价格有所回稳，价格跌幅明显降低，1~8Gb SLC NAND Flash价格呈微幅下跌走势。
NAND Flash现货价格，Samsung 32G MLC (LBG由8.75下跌至8.30，下跌5.4%; Hynix 32G MLC (UBG)由4.73下跌至4.25，下跌11.5%，Micron 64G、Intel 64G MLC价格下跌幅度也非常的大。对于一直下跌幅度较深的16Gb产品，本周下跌幅度较32Gb大幅减弱，Samsung 16G MLC (GAG)由4.25下跌至4.05，下跌5%左右。Hynix 16G MLC (UAG)由3.88下跌至3.65，下跌6.3%。1~8Gb容量产品价格下跌较弱，每次下跌幅度在0.05左右，价格下跌幅度有限。
对于闪存卡方面，本周价格跌涨起伏，主流产品128MB~2GB容量产品价格中1GB~2GB价格波动仍然比较频繁，本周价格跌涨幅度较大，价格持续下跌。其中1GB~2GB下跌7%左右，128MB~512MB下跌4~6%。本周4GB容量产品价格下跌幅度最大，由36下跌至30.5，下跌5元左右，其次是8GB，价格跌幅也比较大，由79.5下跌至77，下跌2.5。市场需求仍然未见起色，本周价格下跌主要受上游厂商产能产出影响，以及商家降价刺激需求有关。
市场价格行情分析
【2X纳米制程产能大量产出 主攻高容量】
本周价格大幅下跌很大可能是受上游产能产出增加的影响，而市场需求一直表现疲软，商家降价刺激需求等动作，也是价格下跌的一个原因，本周价格下滑严重，主要表现在高容量产品上，尤其是32Gb容量。
近日全球NAND Flash市场上已正式展开20奈米级量产竞争，三星自4月起，已采用20奈米级制程生产32Gb MLC NAND Flash，而海力士也自8月起投入26奈米64Gb NAND Flash产品量产流程。东芝近期也采用24奈米制程量产64Gb NAND Flash，NAND Flash市场上激烈竞争已经展开。而且各厂也将计划在2011年扩厂投产NAND Flash，竞争将更上一层。
各厂商2X纳米制程量产，产能大量产出，导致高容量产品价格大幅修正，价格跌幅严重，主要体现在32Gb容量上，32Gb芯片也逐渐变成主流，而上半年跌价幅度相当大而成唯一烫手山芋的16Gb芯片，则在上游厂陆续停产后，价格开始止稳，因此8月下旬NAND Flash合约价中，32Gb和64Gb容量芯片大跌6~11%，16Gb芯片仅小跌1%。
此外，部分NAND Flash大厂在库存节节升高的情况下，愿意降低价格给模块厂。三星和东芝靠苹果这位大客户，天天订单满载。海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等，销售给苹果的比例不如三星和东芝高，因此，愿意降低价格销售，刺激需求。
[下游模组厂 封测厂对后市持保守态度]
国内NAND Flash模组厂威刚(3260)、创见(2451)、劲永(6145)以及控制晶片大厂如群联(8299)等，对于NAND Flash后市的价格表现也多表保守态度，均担心新产能将对价格带来不小的压力，也认为供过于求的情况将难以避免，其中冲击较大的产品将会集中在随身碟、记忆卡等上面。
封测大厂力成(6239)董事长蔡笃恭则认为NAND Flash未来将会走向两极化。他说，一般的记忆卡部份，都是以价取胜，不会是很健康的市场，不过因智慧型手机、平板电脑、SSD等产品鼓舞，反而推升高阶Flash(MLC)市场需求。
后期NAND Flash大厂产能规划
[NAND Flash原厂 2011年晶圆厂大投产]
从NAND Flash各家大厂扩产的脚步来看，几乎都集中在2011年下半年投产，大量产出的情况则会落在2011年第四季左右。其中东芝与Sandisk合资的Fab5预计2011年第三季投产，英特尔转投资的IM-Flash的新加坡新厂预计2011年第三季开始投产。三星有意将位于美国Austin的8吋厂改为12吋厂，计划投入NAND Flash生产。海力士规划明年第一季增加新产能。
2011年，NAND Flash的新产能除了来自于全新的晶圆厂之外，还有制程转换至3X、2X奈米以及2X纳米以下的部份。
