本周（719-723），NAND Flash现货价格跌涨互见，大部分产品价格都呈平稳走势，价格波动有限。本周仍然是16Gb、32Gb容量产品价格表现比较突出，跌涨幅度较弱，在0.02~0.05左右，波动幅度较小。对于闪存卡方面，价格呈上扬走势，前期价格呈微幅上扬趋势，但后期价格拉涨幅度较大，主要受到上游货源不足之故，各厂商都调整库存，以待最佳时期出货，导致价格大幅上升。其中价格涨幅最大的主流产品1GB价格上扬幅度6%，2GB容量产品价格上扬幅度在5%左右。
2010年以来，NAND Flash 现货市场一直都表现很清淡，而且NAND Flash市场产值规模首度出现缩水，原因就是TLC芯片的大量出笼，导致NAND Flash价格下滑和市场的供过于求。
其实，目前手机厂和NAND Flash大厂谈定的价格相当高，但现货市场价格就相对不是很理想，TLC芯片的干扰因素较多，虽然下半年需求剧增，记忆卡和随身碟的买气升温，消耗NAND Flash产能，但很难改变2010年合约热、现货冷的现状，后期市场需求能否带动价格攀高，还需进一步观察。
虽然Q2仍然受到淡季效应的波及，但是在南科、华亚科相续财报亮相之后，SanDisk、美光、海力士财报也相续亮相。记忆卡龙头厂商SanDisk公布2010年第2季(4-6月)财报：营收年增61%(季增9%)至11.8亿美元；本业每股盈余达1.08美元，优于2009年同期的本业每股盈余0.36美元与前季的0.95美元；每千兆位均价年减18%(季减8%)。
美光(Micron)2010年第3季(3月~5月)财报中，营收达为22.9亿美元，较2009年同期成长超过1倍，净利达9.39亿美元，相较于2009年同期还净损3.01亿美元，表现相对亮眼。
海力士第2季本业表现突出，主要是因为第2季DRAM和NAND Flash晶片出货量都大增，其中NAND Flash虽然面临价格下跌的状况，但出货量大幅成长也弥补了价格的下跌损失。
此外本周值得注意的是，三星电子宣布了两项在技术上的重大突破，一是：三星积极提升纳米制程技术，7月将在世界上最早实现30纳米级2GB DDR3 DRAM量产，30纳米级产品比40纳米级产品量产性增加60%，而比50~60纳米级产品更是增加2倍以上的成本竞争力。二是：三星2011年将开始量产较既有闪存(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。此两项制程技术的突破在竞争力上又为三星注一桩筹码。
三星电子在技术上取得突破，尔必达也不落人后，近日，尔必达和飞索(Spansion)结盟将共同开发NAND Flash技术和产品，将以日本广岛12吋厂做为生产基地，初期从43奈米切入，未来再导入32奈米，全面抢进NAND Flash产业，并将成为全球继三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、IM Flash之后的第5大NAND Flash势力阵营。
另外，尔必达和飞索联盟晋身为全球第5大NAND Flash阵营后，台系记忆体业者包括旺宏、力晶、台湾创新记忆体(TIMC)等对于挑战NAND Flash产业亦跃跃欲试，未来是否能够撼动5大阵营地位，还值得进一步观察。
