内存业界对于2010年NAND Flash市场寄予厚望，在智能型手机应用起飞，加上没有新产能大举开出情况下，预期2010年高阶NAND Flash市场恐严重缺货。但业界又担心，2010年TLC(Triple-Level Cell)产品时代的到来，恐NAND Flash走势两极化，高阶市场严重缺货。
董事长潘建成上周（14-18）表示，展望2010年市场，对NAND Flash产业前景相当乐观，尤其是智能型手机带动的换机潮更是令人期待，公司有些客户现在就开始谈2010年2月的订单，预计2010年第1季营收会优于以往同期。
在手机NAND Flash应用方面，手机NAND Flash应用面相当多元化，从手机、全球卫星订位系统(GPS)、固态硬盘(SSD)、随身碟到数字相机(DSC) 等应用别，每个应用别在明年呈现5~20%不等的幅度，NAND Flash市场绝对不看淡，其中最令人期待的应用会是智能型手机带动的换机潮，消化NAND Flash产能最多。
在SSD产品线方面，2010年下半或许有机会，现在控制芯片的技术还有待改善，等控制芯片成熟后，市场有逐渐起飞的机会。
再从NAND Flash供货商观察，虽然已到年底作帐季节，但几乎每一家供货商的塞货压力都不大，包括海力士(Hynix)、三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等都一样，因此看2010年更是没有悲观的理由。
而另一值得观察的重点是，2010年各家NAND Flash供货商的主流制程都从40奈米至30奈米制程，或是从30奈米转换至20奈米制程，在制程转换的过程中，若是有不顺的情况发生，供给又会再短缺。
但是2010年TLC(Triple-Level Cell)时代的到来不能不让人担忧，在2010年TLC(Triple-Level Cell)时代，相较于高阶NAND Flash市场恐会严重缺货，低阶NAND Flash市场由于2010年将是「TLC元年」，包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等业者纷投入TLC市场，在成本大幅降低刺激下，恐将引爆另一波跌势，在低阶记忆卡、随身碟市场杀价出货，与高阶NAND Flash市场呈现完全不同景况。
高阶NAND Flash产能都被手机应用吃光，低阶NAND Flash产能又倾巢而出，TLC(Triple-Level Cell)产品逐渐放量，价格恐大幅下杀出货，加上TLC芯片不能用在手机、固态硬盘(SSD)等高阶产品，因此，2010年高低阶NAND Flash市场发展恐壁垒分明，恐走势两极化，并考验内存模块厂调货能力。
内存模块厂若高阶NAND Flash芯片拿不到货，又反手被TLC芯片烫到，将是得不偿失，对模块厂而言，卖最好的产品一定是大量化的低价记忆卡等，但若低价产品变成杀戮战场，则福祸恐难预料。
因此，尽管业界对于2010年NAND Flash市场持乐观看法，但由于高低阶市场走势迥异，模块厂操作难度大增，调货和库存管理能力将成为胜负关键，掌握NAND Flash芯片货源，便会是大赢家。
