Micron NAND Flash + SMI主控方案16GB容量的SD卡,速度等级为Class 10,Class 10可以以最低数据传输速率为10MB/秒的速度将文件上传到电子设备。本次在SDR104传输模式下进行,对产品进行VTE,Performance,电气性能,兼容性,老化等测试,其中Performance项目中的CrystalDiskMark软件测试,读写速度分别可达91.11MB/秒,79.09MB/秒,5部相机的兼容性测试均oK。
电脑编号 |
主板芯片组 |
CPU |
内存 |
操作系统 |
EQ01-793 |
Intel G41+ ICH7/R |
Intel Pentium E5200 |
2GB DDR2 |
Win7 |
测试平台 |
Testmetrix VTE3100 Version 3.1S |
CSH-212 |
AMD 870+SB850 |
AMD Fx(tm)-4100@3.60GHz |
4GB DDR3 |
Win7 |
读卡器型号 |
RTS5308、GL828 |
测试结果:
电脑编号 |
主板芯片组 |
CPU |
内存 |
操作系统 |
EQ01-793 |
Intel G41+ ICH7/R |
Intel Pentium E5200 |
2GB DDR2 |
Win7 |
测试平台 |
Testmetrix VTE3100 Version 3.1S |
|||
测试脚本 |
SD_Card(Spec3.0_High&Extended-Capacity_UHS-I and Non-UHS-I)_Compliance [rev31R].vte], |
VTE Compliance |
Class10 Pass |
|||
VTE Performance |
最高频宽最高读写速度 |
CARD MODE |
Clock rate |
WMB Sequential =90.74MB/S |
SDR104 |
208MHz |
RMB Sequential =97.91MB/S |
测试结果:
电脑编号 |
主板芯片组 |
CPU |
内存 |
操作系统 |
CSH-212 |
AMD 870+SB850 |
AMD Fx(tm)-4100@3.60GHz |
4GB DDR3 |
Win7 |
读卡器型号 |
RTS5308、GL828 |
|||
测试数量 |
3片及以上 |
1.HDBENCH软件测试
拷贝OK格式化拔插后测试
2.ATTO软件测试
3.H2Test软件测试
4.CrystalDiskMark软件测试
测试结果:
电脑编号 |
主板芯片组 |
CPU |
内存 |
操作系统 |
CSH-212 |
AMD 870+SB850 |
AMD Fx(tm)-4100@3.60GHz |
4GB DDR3 |
Win7 |
读卡器型号 |
RTS5308 |
|||
电流表型号 |
FLUKE 289C |
|||
测试数量 |
3片及以上 |
编号 |
I(p) |
I(w)min |
I(w)max |
I(r)min |
I(r)max |
I(w/r)max |
I(p)读写后 |
1# |
134.03 |
98.89 |
162.02 |
46.27 |
121.57 |
164.60 |
150.16 |
2# |
136.03 |
97.69 |
159.03 |
45.13 |
119.47 |
160.28 |
157.51 |
待机电流 |
抽取10片查看其待机电流均在130µA左右 |
测试结果:
电脑编号 |
主板芯片组 |
CPU |
内存 |
操作系统 |
EQ01-793 |
Intel G41+ ICH7/R |
Intel Pentium E5200 |
2GB DDR2 |
Win7 |
CSH-212 |
AMD 870+SB850 |
AMD Fx(tm)-4100@3.60GHz |
4GB DDR3 |
Win7 |
读卡器型号 |
RTS5308 |
|||
测试数量 |
5片及以上 |
样品编号 |
Duration |
cycle |
Error |
备注 |
测试环境 |
盘内预留文件 |
电脑编号 |
1# |
15h05m |
3531 |
0 |
默认数据 |
常温 |
无 |
EQ01-793 |
2# |
15h05m |
3534 |
0 |
默认数据 |
常温 |
无 |
EQ01-793 |
测试完成后拷贝测试 |
OK |
—— |
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查看新增坏块 |
无 |
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