型号 | 容量 | DRAM | 传输速率 | NAND Flash | 速度(读) | 速度(写) | 其他 | ||||||
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KAP0A331A1 | 8GB+8Gb | LPDDR3 | 1866 Mbps | 2D MLC | 最高170MB/秒 | 最高100MB/秒 | 查看
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KAPEA532A1 | 16GB+8Gb | LPDDR3 | 1866 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高140MB/秒 | 查看
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KAPEA632A1 | 32GB+8Gb | LPDDR3 | 1866 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高140MB/秒 | 查看
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KAPEA642A1 | 32GB+16Gb | LPDDR3 | 1866 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高140MB/秒 | 查看
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KAP0B331B1 | 8GB+8Gb | LPDDR4X | 4266 Mbps | 2D MLC | 最高170MB/秒 | 最高140MB/秒 | 查看
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KAPEB532B1 | 16GB+8Gb | LPDDR4X | 4266 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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KAPEB632B1 | 32GB+8Gb | LPDDR4X | 4266 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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KAPEB642B1 | 32GB+16Gb | LPDDR4X | 4266 Mbps | 3D TLC | 最高290MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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康盈ePOP器件集成了eMMC和LPDDR,减少系统开发时间,降低PCB设计难度;采用在主芯片上(Package on Package)贴片的封装方式,节省PCB占用空间,进一步精简产品尺寸;小体积、低功耗,低成本,是智能穿戴的理想解决方案。
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