控制芯片

• 便携式SSD主控SM2322

  支持3D TLC/QLC NAND，可提供2,100MB/s 和 2,000MB/s 的峰值连续读写传输速度，最大容量可支持8TB。慧荣 2024-05-30

• 便携式SSD主控SM2320

  提供四个NAND通道，顺序读写速度最高可达2,100/2,000MB/s，最大支持容量4TB。慧荣 2023-04-18

• PCIe Gen5主控SM2508

  采用台积电6nm EUV工艺，功耗降低50%，整体功耗不到7W，能效比PCIe Gen4 SSD 高1.7 倍。慧荣 2023-02-17

• PCIe Gen4主控SM2268XT

  采用双核ARM R8 CPU，支持4个NAND通道，每通道最高可达3,200 MT/s。慧荣 2023-02-17

• SMI企业级控制器SM8366

  支持现有的和下一代 3D NAND 存储器类型，提供超过14 GB/s 的持续顺序读取性能。慧荣 2022-07-29

• SM8266

  支持16个通道PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，可搭配最新的3D TLC、QLC，支持最大容量16TB，可持续读取最高6.5GB/s慧荣 2020-11-18

• SM2264

  支持3D TLC/QLC NAND，PCIe4.0，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达6.5GB/s、3.9GB/s。慧荣 2019-08-12

• SM2267

  支持3D TLC/QLC NAND，PCIe4.0，最大支持8TB容量，最大顺序读写速度可达4GB/s、3GB/s。慧荣 2019-08-12

• SM2271 SSD控制芯片

  支持3D TLC/QLC NAND，8通道，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达540MB/s、520MB/s。慧荣 2019-03-15

• SM2270 SSD控制芯片

  支持PCIe Gen 3 x 8接口，符合NVMe 1.3协议，支持主流NAND制造商的最新3D NAND，包括96层TLC 和QLC闪存。慧荣 2018-08-09

• SM2262 SSD控制芯片

  八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术，同时封装兼容上代SM260。慧荣 2017-09-22

• SM2263 SSD控制芯片

  四通道，支持16bit DRAM缓存，持续读写最高可达2.4GB/s、1.7GB/s，随机读写则可达300K IOPS、250K IOPS。慧荣 2017-09-22

• SM2263XT SSD控制芯片

  四通道，采用DRAMless的设计，支持主机内存缓冲(HMB)功能，利用主机DRAM提高性能。慧荣 2017-09-22

• SM2262EN SSD控制芯片

  PCIe Gen3 x4接口，八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。慧荣 2017-08-10

• SM2263EN SSD控制芯片

  PCIe Gen3 x4接口，四通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术。慧荣 2017-08-10

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