SKHynix
战略物资自律遵守贸易交易者旨在企业是否能够“准确判定公司采用的品类是否属于战略物资”、“具备分析本公司产品的最终使用者等的能力”和“依据世界贸易规范，具备审查公司交易内容体制的企业。”
SK海力士20日宣布，在韩国半导体企业中首次获得了“Automotive SPICE（以下简称ASPICE）”*等级2（CL2，Capability Level 2）认证。
此次成果相比公司在2021年创造的9.4173万亿韩元减少20%。其中“间接经济效益”为7.7853万亿韩元，“环境效益”为-1.0423万亿韩元，“社会效益”为8415亿韩元。
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。
X31是 SK 海力士的第一款外置 SSD，支持高达 1,050 MB/s 的顺序读取处理速度和 1,000 MB/s 的顺序写入处理速度。据官方介绍，可以在不到 9 分钟的时间内移动 500GB 的数据，同时保持平均速度超过 900MB/s。
SK海力士30日宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔开始了“英特尔数据中心存储器认证程序”。
SK海力士预测，随着第一季度客户的库存转为下跌趋势，并且第二季度起存储器的减产将使供应商的库存去化，预计下半年市场环境将得到改善。
SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
SK海力士表示：“虽然今年上半年的低迷市况在持续深化，但从全年整体来看，预计市况会越到下半年就越好。”业界预测，由于减少投资和减产的基调，半导体存储器企业的供应不见增加，因此产品库存将从第一季度开始减少。
SK海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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