SKHynix
此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。
SK海力士混合键合技术在HBM3 12层生产过程中的性能和可靠性已取得了良好的结果，因此对该技术充满信心。
SK海力士此次季度业绩创历史新高，季度收入较上在2024年第二季度实现的16.4233万亿韩元超过1万亿韩元以上。营业利润和净利润也大幅超过半导体超级繁荣期的2018年第三季度（营业利润为6.4724万亿韩元，净利润为4.6922万亿韩元）的业绩记录。
SK海力士表示，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。
半导体行业预测，随着下半年首批采用“CXL2.0”规格的服务器CPU问世，CXL将正式进入商业化阶段。为此，SK海力士正在对96GB（千兆字节）及128GB容量的CXL2.0存储器进行客户验证，并计划在年底实现量产。
为了突出新AiMX在多批次环境中的先进处理能力，SK海力士使用开源LLM Llama 3 70B模型对原型卡进行了演示。演示特别强调了AiMX作为数据中心中高效的注意力加速器的能力。
此次新产品采用的第五代PCIe带宽比现有第四代(Gen4)高一倍，PEB110的数据传输速度达到了32GTs（千兆传输/秒）。由此，PEB110的性能较上一代产品提升一倍，能效提升了30%以上。
SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品，希望将大部分产能集中在最新一代HBM上，同时逐步淘汰旧产品。
SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器（HBM3E），并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。
SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术，在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术，并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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