SKHynix
在半导体产业高速发展的背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory, HBM）领域的技术竞争日益激烈，尤其是三星和SK海力士这两家公司。近一个月来，HBM市场的关注急剧上升，特别是HBM3E和HBM4产品的进展。行业专家预计，HBM的市场份额将继续增长，预计明年将占据DRAM市场的30%。
SK海力士与台积电合作生产HBM4，台积电负责芯片前端和后端工艺，SK海力士负责晶圆测试和堆叠。12层HBM4预计明年下半年量产，16层产品计划2026年量产。SK海力士还计划2026年开始生产HBM4E。
与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。
SK海力士公布面向AI的存储器技术力及市场现状、韩国清州/龙仁/美国等未来主要生产据点相关的投资计划。
SK海力士2024年第一季度收入创历史同期新高，营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高，公司将其视为摆脱了长时间的低迷期，开始转向了全面复苏期。
SK海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在2025年11月竣工并开始量产。公司也将依次进行设备投资，从长远来看，计划向M15X投资逾20万亿韩元，由此进一步扩充产能。
SK海力士计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。
据韩国国际贸易协会数据显示，韩国去年向台湾地区出口了价值30亿美元的存储器半导体。
在去年AI时代开始的同时，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装的重要性也随之加大。
SK海力士今天宣布，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并于3月下旬开始向客户供货。七个月前，SK海力士宣布了 HBM3E 开发的成功。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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