SK海力士(SK Hynix)日前向SK海力士系统IC(SK Hynix System IC)出资1,000万美元,重金扶植晶圆代工事业,有意改善营收偏重DRAM的事业结构,正多元化发展成为一个综合的半导体企业。
SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是满足JEDEC标准的DDR5产品,并将于2020年大规模量产。
SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。
SK海力士推出基于TLC阵列的全球首款96层512Gb CTF 4D 闪存芯片,采用3D CTF 设计,搭配PUC(技术,将在今年内开始初步量产,单个512Gb 闪存芯片相当于64GB存储。
SK海力士公布截至2018年9月30日的2018年Q3财务业绩:营收11.42兆韩元(约合100亿美元),同比增长41%,环比增长10%;营业利润6.47兆韩元(约合57亿美元),同比增长73%,环比增长16%;净利润4.69兆韩元(约合41亿美元),同比
KLEVV NEO N500是一款标准的7毫米2.5寸SATA SSD,面向低端市场,采用了一颗慧荣SM2258XT主控,四通道,支持LDPC ECC纠错和pSLC缓存加速。
SK海力士(SK Hynix)正在兴建中的清州M15厂,预计最快9月中旬完工并举行竣工仪式,显示SK海力士正加速量产第五代堆叠96层3D NAND。
SK海力士宣布推出业界首款4D NAND,采用CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型),存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。与传统架构相比,4D NAND的外围电路(PUC,Peri.Circuits)架构,可缩小芯片面积、
7月27日,SK海力士宣布,将投资3.5兆韩元在京畿道利川新建一座存储器工厂,以应对不断增长的Memory存储需求,并保证未来产能增长的动力。
受益于市场需求持续旺盛,Q2季度DRAM和NAND Flash出货量均显著增加,带动SK海力士营收和营业利润环比增长19%和28%。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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