SK海力士重磅推出128层1Tb 4D NAND,将推动1Tb规模化量产,Bit产出量也将进一步增加,再加上贸易争端等不利需求的因素影响,NAND Flash跌价的行情或将延续到2020年,市场涨价的“梦”彻底碎了。
SK海力士推出新型低功耗企业级NVMe SSD(eSSD),采用72层3D TLC 以及自研NVMe控制器,计划2019年下半年开始量产。
传SK海力士采用喷雾式EMI屏蔽封装的NAND Flash样品已经完成,并已送样手机厂商进行验证。据了解,目前其他存储大厂也在研发喷雾式屏蔽封装,力求能缩小芯片体积,但目前仅SK海力士进入实际生产。
位于重庆西永微电园的SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,第三季度陆续投产。一、二期合计产能是现在的2.5倍,年产量将占SK海力士整个NAND Flash产品的40%以上。
SK海力士宣布已向主要SSD(固态硬盘)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品,还开发了自己的QLC软件算法和控制器,计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品,加强对下一代高密度存储器市场的响应能力,满足客户需求。
继三星和美光2019年首季财报表现大跌后,SK海力士净利润也同比大跌了65%。面对NAND Flash和DRAM低迷的市况,以及价格持续下滑,美光已决定减少5%的晶圆产量,SK海力士也宣布2019年的NAND Flash晶圆产量将减少10%以上。
据韩媒报道,SK海力士计划发行价值5000亿韩元(4.35亿美元)的债券,用于偿还5月份到期的价值4500亿韩元(3.91亿美元)债券。
传SK海力士正在考虑收购逻辑芯片制造商美格纳半导体 (Magna Chip)位于清州的晶圆代工厂,希望借此扩大其8 寸晶圆生产线,不过消息尚未被证实。
SK海力士公司宣布,4月18 日中国无锡制造工厂(C2F)完成扩建。C2F是无锡现有DRAM生产线C2的扩展,扩大生产线是为了解决技术过渡带来的生产空间短缺的问题。
SK海力士总投资86亿美元的无锡二工厂项目将于本18日正式举行竣工仪式。竣工后主要用于生产先进的10nm级DRAM技术,预估每月可生产18万片12英寸Wafer。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2