编辑:Andy 发布:2024-11-06 14:56
据韩媒ddaily报道,SK海力士近日表示,计划以下一代内存技术满足AI时代的需求,强调HBM(高带宽内存)和CXL(计算高速链路)内存的互补作用。
SK海力士认为,随着内存需求随着AI模型性能的提升而快速增长,HBM带宽的限制变得更加明显。由于HBM的带宽已经达到极限,很难完全满足AI所需的高性能工作负载,CXL内存作为一种备受瞩目的解决方案,可以补充HBM的局限性。
CXL是基于PCIe的下一代接口标准。用于连接中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、SSD、DRAM等。与现有的内存结构不同,CXL内存支持在服务器外部以内存池的形式被多主机共享,实现内存资源的高效分配。
CXL内存允许在 CPU 和 GPU 之间灵活共享内存资源,消除瓶颈并降低数据中心的总拥有成本 (TCO)。通过 CXL 启用内存池,可以在需要时动态扩展内存,从而最大限度地提高数据中心的运营效率。因此,使用高速接口且易于扩展容量的基于CXL的DRAM产品作为下一代内存解决方案而受到关注。
· 三星电子今年内量产基于CXL 2.0的256GB CMM-D,目前正在与主要客户进行验证;
· SK海力士正在对96GB及128GB容量的CXL2.0存储器进行客户验证,计划在年底实现量产;
· 美光基于CXL2.0的CZ122已上市,存储容量256GB,存储带宽37GB/s;
· 江波龙已推出64GB、128GB、192GB CXL 2.0内存拓展模块,带宽32GB/s,512GB正在研发中;
· 佰维存储推出了CXL 2.0 DRAM,容量为32GB、64GB、96GB,带宽可达32GB/s;
· 宜鼎国际64GB CXL 2.0内存模块将于2025年Q1开始出货。
另据韩媒ET News消息,SK海力士近期与ASICLAND签订311亿韩元(约2,256万美元)规模的CXL控制器设计合约,期限至2026年6月30日,CXL控制器的生产将交由台积电代工,目标是用于CXL 3.0 DRAM。
目前,CXL控制器市场由澜起科技和Rambus瓜分。三星电子、SK海力士等公司的CXL DRAM中安装的CXL控制器均由澜起科技和Rambus提供。SK海力士希望通过推动CXL控制器内部化来提高产品利润。
据悉,三星电子也在开发自己的CXL 控制器,目标是应用于CXL 3.0 DRAM。预计设计将由三星电子系统LSI部门进行,量产将由三星电子晶圆代工厂进行。
存储原厂 |
三星电子 | 57400 | KRW | +0.17% |
SK海力士 | 194100 | KRW | -0.87% |
美光科技 | 111.830 | USD | +6.01% |
英特尔 | 25.050 | USD | +7.42% |
西部数据 | 69.910 | USD | +4.61% |
南亚科 | 41.60 | TWD | +2.09% |
华邦电子 | 19.10 | TWD | +1.06% |
主控厂商 |
群联电子 | 474.0 | TWD | +0.11% |
慧荣科技 | 55.330 | USD | +2.58% |
美满科技 | 90.630 | USD | +3.95% |
点序 | 57.0 | TWD | +1.06% |
国科微 | 70.55 | CNY | -1.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.76 | CNY | -0.34% |
希捷科技 | 102.980 | USD | +1.31% |
宜鼎国际 | 261.0 | TWD | -0.38% |
创见资讯 | 95.9 | TWD | -0.31% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.14% |
世迈科技 | 17.470 | USD | +5.81% |
朗科科技 | 22.20 | CNY | -0.80% |
佰维存储 | 63.90 | CNY | -1.22% |
德明利 | 82.47 | CNY | -1.08% |
大为股份 | 11.91 | CNY | 0.00% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | +0.40% |
力成 | 129.0 | TWD | +1.18% |
长电科技 | 43.56 | CNY | +6.06% |
日月光 | 155.5 | TWD | +2.30% |
通富微电 | 34.73 | CNY | +10.01% |
华天科技 | 13.26 | CNY | +3.43% |
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